Me2In(O-t-Bu)3Sn | 1256265-88-9

• 英文名称: Me2In(O-t-Bu)3Sn
• CAS: 1256265-88-9
• 化学式: C₁₄H₃₃InO₃Sn
• 分子量: 482.944
• InChiKey: JOKRXJGCGLRYBP-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  None
• 重原子数：
  None
• 可旋转键数：
  None
• 环数：
  None
• sp3杂化的碳原子比例：
  None
• 拓扑面积：
  None
• 氢给体数：
  None
• 氢受体数：
  None

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  Me2In(O-t-Bu)3Sn 以 水 、 异丙醇 为溶剂， 生成 indium(III) oxide
  参考文献：
  名称：

  A novel precursor system and its application to produce tin doped indium oxide

  摘要：

  通过分子设计开发并合成了一种新型前驱体，用于生产掺锡氧化铟（ITO）。该前驱体由一种新开发的双金属铟锡氧化物 Me2In(OtBu)3Sn（Me = CH3，OtBu = OC(CH3)3）组成，它与过量的 Me2In(OtBu)处于平衡状态。这种准单一来源的前驱体被应用于溶胶-凝胶工艺中，在惰性气氛下通过一步热处理工艺生产出 ITO 的粉末和涂层。该系统的主要优点是热处理简单，可将二价锡（II）前驱体歧化为锡（IV）和金属锡，从而在最终的掺锡氧化铟（ITO）材料中形成金属的整体还原状态，因此避免了通常所需的还原步骤。对粉末样品进行的固态 119Sn-NMR 测量证实，锡（II）呈无定形凝胶状态，而金属锡则在氮气下退火后出现。通过在玻璃上旋涂制备相应的 ITO 涂层，无需还原步骤即可制备出具有高可见光透过率和低电阻率的透明导电层。

  DOI：

  10.1039/c1dt10067j
• 作为产物：
  描述：

  [Sn(OBu(t))(μ-OBu(t))]2 、 Me2In(O-t-Bu) 以 甲苯 为溶剂， 生成 Me2In(O-t-Bu)3Sn
  参考文献：
  名称：

  A novel precursor system and its application to produce tin doped indium oxide

  摘要：

  通过分子设计开发并合成了一种新型前驱体，用于生产掺锡氧化铟（ITO）。该前驱体由一种新开发的双金属铟锡氧化物 Me2In(OtBu)3Sn（Me = CH3，OtBu = OC(CH3)3）组成，它与过量的 Me2In(OtBu)处于平衡状态。这种准单一来源的前驱体被应用于溶胶-凝胶工艺中，在惰性气氛下通过一步热处理工艺生产出 ITO 的粉末和涂层。该系统的主要优点是热处理简单，可将二价锡（II）前驱体歧化为锡（IV）和金属锡，从而在最终的掺锡氧化铟（ITO）材料中形成金属的整体还原状态，因此避免了通常所需的还原步骤。对粉末样品进行的固态 119Sn-NMR 测量证实，锡（II）呈无定形凝胶状态，而金属锡则在氮气下退火后出现。通过在玻璃上旋涂制备相应的 ITO 涂层，无需还原步骤即可制备出具有高可见光透过率和低电阻率的透明导电层。

  DOI：

  10.1039/c1dt10067j