氧化铪硅 | 13870-13-8

• 中文名称: 氧化铪硅
• 英文名称: hafnon
• 英文别名: hafnium silicate；hafnium(IV) silicate；hafnium(4+);silicate
• CAS: 13870-13-8
• 化学式: Hf*O₄Si
• 分子量: 270.573
• InChiKey: VCFZGYGRRNTEGX-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 密度：
  7.000

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -5.14
• 重原子数：
  6
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  92.2
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  4

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  碘化铪 、 硅酸四乙酯 以 gas 为溶剂， 生成 氧化铪硅
  参考文献：
  名称：

  由四乙氧基硅烷、卤化铪和水沉积的氧化膜原子层的特性

  摘要：

  在 HF 蚀刻的硅和硼硅酸盐玻璃基板上，通过原子层沉积在 300 和 500°C 下生长硅酸铪薄膜。通过将衬底表面交替暴露于气态Si(OC 2 H 4 ) 4 和HfI 4 或HfCl 4 流来生长膜。H 2 O 在水解反应中用作额外的氧前体。硅酸盐薄膜也在没有 H 2 O 的情况下生长。H 2 O 的应用导致薄膜的生长速率增加和密度和介电性能提高。硅酸盐膜是无定形的。它们的有效介电常数通常在 6 到 10 之间变化。通过离子束分析确定的薄膜组成在整个薄膜厚度上是均匀的，接近 HfSiO 4 的化学计量。X 射线光电子能谱表明，生长的最薄的薄膜有些富含硅。硅含量是铪含量的两倍。在沉积的薄膜中检测到少量的残留氯、碘和碳（<0.1-2 原子%）。

  DOI：

  10.1149/1.1668925

文献信息

• Fuhrmann, J.; Pickardt, J., Zeitschrift für anorganische und allgemeine Chemie
  作者：Fuhrmann, J.、Pickardt, J.

  DOI：——

  日期：——