Gallium--ruthenium (3/1) | 60862-23-9

• 英文名称: Gallium--ruthenium (3/1)
• 英文别名: gallane;ruthenium
• CAS: 60862-23-9
• 化学式: Ga₃Ru
• 分子量: 310.239
• InChiKey: VPFBQOKJPXQABN-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -3.55
• 重原子数：
  4
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  0
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  0

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  氢化镓 、 钌 以 melt 为溶剂， 生成 Gallium--ruthenium (3/1)
  参考文献：
  名称：

  FeGa 3和RuGa 3：半导体金属间化合物

  摘要：

  使用Ga助熔剂由元素制备金属间化合物FeGa 3和RuGa 3，并根据单晶X射线数据精炼其结构。两种化合物均以FeGa 3结构类型（四边形，空间群P 4 2 / mnm，Z = 4）结晶。电阻率测量揭示了FeGa 3和RuGa 3的半导体行为，这与同型化合物CoGa 3观察到的良好金属导电性相反。通过第一性原理计算研究了这些材料的不同电子性质的起源。发现在采用FeGa 3结构类型的化合物中，过渡金属原子和Ga原子强烈地相互作用。这将打开一个17电子化合物（即FeGa 3和RuGa 3）在费米能级的状态密度为d - p的杂化带隙，其大小约为0.31 eV 。CoGa 3（18电子化合物）的电子结构显示出相对于FeGa 3的刚性带行为。结果，CoGa 3中的费米能级位于d – p之上。 杂交间隙，解释了其金属导电性。

  DOI：

  10.1006/jssc.2001.9503

文献信息

• Pseudo-gap in RuGa3: A microscopic point of view
  作者：A.A. Gippius、A.V. Tkachev、S.V. Zhurenko、A.V. Gunbin、E.I. Demikhov、C.-N. Kuo、C.-S. Lue、N.-Q. Nguyen、C.-W. Luo、V.N. Khrustalev、R.D. Svetogorov、M.S. Likhanov、A.V. Shevelkov

  DOI：10.1016/j.jallcom.2022.168522

  日期：2023.3

  RuGa3 in-gap states by means of precision microscopic methods: nuclear quadrupole resonance (NQR), nuclear magnetic resonance (NMR), and pump-probe spectroscopy. We observe a pronounced splitting of 69Ga nuclear spin-lattice relaxation curves below ∼40 K and between 70 and 145 K, although the corresponding NQR lines remain narrow over the entire temperature range under study. The slow relaxing component

  我们报告了通过精密显微方法对 RuGa 3 间隙态的性质进行的详细研究：核四极共振 (NQR)、核磁共振 (NMR) 和泵浦探针光谱。我们观察到69 Ga 核自旋晶格弛豫曲线在 ~40 K 以下和 70 至 145 K 之间明显分裂，尽管相应的 NQR 线在所研究的整个温度范围内仍然很窄。慢速弛豫成分表现得像典型的声子诱导弛豫方式，而快速弛豫表现出顺磁（低于～40 K）和激活（70 至 145 K）机制的特征。此外，首次揭示了 IrIn 具有异常低电场梯度的额外 Ga' 和 Ga'' 位置3型结构的镓化物，它几乎保持不变，至少达到 77 K。观察到的微观特征伴随着间隙状态饱和或耗尽，这被视为电阻率机制交叉在 ~180 K 和电子局域化低于 145 K 由泵浦探针光谱学证明。根据我们的实验结果，我们将这种类似伪间隙的行为与不均匀分布的电子密度缺陷相关联，这些缺陷在微观（核自旋和声子动力学）和