| 278795-78-1

• CAS: 278795-78-1
• 化学式: F₄Ga*H₃N*H₄N
• 分子量: 180.786
• InChiKey: KNUYWTNDLBYZEB-UHFFFAOYSA-K

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  None
• 重原子数：
  None
• 可旋转键数：
  None
• 环数：
  None
• sp3杂化的碳原子比例：
  None
• 拓扑面积：
  None
• 氢给体数：
  None
• 氢受体数：
  None

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  氢化镓 、 ammonium hydrogen fluoride 在 In 作用下， 以 neat (no solvent) 为溶剂， 生成
  参考文献：
  名称：

  NH4GaF4和NH4GaF4·NH3的晶体结构

  摘要：

  元素镓与 NH4F 的氧化在 350°C 下产生 NH4GaF4 单晶（四方晶系，I4 / mcm，Z = 4，a = 527.1 (1)，c = 1281.6 (3) pm，同种型至 NH4AlF4）。存在层状结构，其中角连接的 [GaF6] 八面体和孤立的铵四面体的层长 [001] 堆叠。NH4GaF4NH3 的单晶在 300°C 由镓与 NH4HF2 产生（单斜晶，I2/m，Z = 4，a = 745.2 (2)，b = 676.7 (2)，c = 976.0 (3rd) ) pm，β = 105.52 (4)°)。通过加入等量的 NH3，NH4GaF4 的层状结构被打破；结果是由在 [GaF6] 和 [Ga (NH3) 2F4] 八面体之间交替的链组成的非常紧密的棒堆积。孤立的 NH4 + 离子存储在间隙中。NH4GaF4 和 NH4GaF4NH3 的晶体结构 在 350°C 下用

  DOI：

  10.1002/(sici)1521-3749(199911)625:11<1843::aid-zaac1843>3.0.co;2-6