的室温可见照明(200W光源)DIAG - (η 5 -C 5 H ^ 4 R)的Re(CO)(L)X 2(R = H,烷基; L = CO,P(OR)3 ; X = Br,I)吸附在
硅胶上导致配合物异构化为相应的侧向异构体,收率良好(通常> 80%)。对于L = CO,异构化反应发生在相反的方向上所发现在其中溶液纬度-到-诊断观察到异构化。发现在
硅胶表面上建立的对角异构体与侧向异构体的比率受X和L的影响,即。(η 5 -C 5 H ^4 Me)中的Re(CO)[P(OR)3 ]
溴2 >(η 5 -C 5 H ^ 4 Me)中的Re(CO)2
溴2 >(η 5 -C 5 H ^ 4 Me)中的Re(CO)2我2。用Me 2 SiCl 2
化学除去表面羟基表明,仅
化学吸附在
硅胶表面上的a配合物的单层经历了异构化。描述了使
二氧化硅表面羟基的作用合理化的机理。