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Cl3Ga(triphenylphosphine)3 | 17769-21-0

中文名称
——
中文别名
——
英文名称
Cl3Ga(triphenylphosphine)3
英文别名
Cl3Ga(triphenylphosphine)3;Cl3Ga(PPh)3
Cl3Ga(triphenylphosphine)3化学式
CAS
17769-21-0
化学式
C18H15Cl3GaP
mdl
——
分子量
438.373
InChiKey
AUWVSUYEJZEQHA-UHFFFAOYSA-K
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    None
  • 重原子数:
    None
  • 可旋转键数:
    None
  • 环数:
    None
  • sp3杂化的碳原子比例:
    None
  • 拓扑面积:
    None
  • 氢给体数:
    None
  • 氢受体数:
    None

反应信息

  • 作为反应物:
    描述:
    Cl3Ga(triphenylphosphine)3 在 air 作用下, 以 二氯甲烷 为溶剂, 生成
    参考文献:
    名称:
    卤化镓(III)与膦,a和氧化膦的配合物–对比研究
    摘要:
    制备了氧化膦配合物[GaX 3(Me 3 PO)]和[(GaX 3)2 {μ- o -C 6 H 4(CH 2 P(O)Ph 2)2 }],并通过微分析对其进行了表征,红外和多核NMR(1 H,13 C { 1 H},31 P { 1 H}和71 Ga)光谱。[GaCl 3(Me 3 PO)],[(GaBr 3)2 {μ- o -C 6 H 4(CH 2 P(O)Ph 2)2 }]和离子产物[GaI 2(Me 3 PO)2 ] [GaI 4 ]的测定已经表明,卤化镓对膦酰基配体的路易斯酸性降低了卤素变得更重。[GaX 3(Ph 3 E)](X = Cl,Br或I; E = P或As)和[(GaX 3)2 {μ- o -C 6 H 4(CH 2 PPh 2)2}](X = Br或I)已制备,并且其结构和光谱性质与膦酰基配合物相比。结果和竞争性溶液NMR研究表明,Ga(III)优先将硬R 3
    DOI:
    10.1016/j.poly.2007.05.008
  • 作为产物:
    描述:
    gallium(III) trichloride 、 三苯基膦甲苯 为溶剂, 生成 Cl3Ga(triphenylphosphine)3
    参考文献:
    名称:
    固态69 / 71Ga和31P NMR光谱研究三卤化镓与三芳基膦的1:1加合物
    摘要:
    使用固态69/71 Ga和31 P NMR研究了三卤化镓与三芳基膦的几个1:1加合物,X 3 Ga(PR 3)(X = Cl,Br和I; PR 3 =三芳基膦配体)光谱在不同的磁场强度下。确定了69/71 Ga核四极耦合参数以及镓和磷磁屏蔽张量。所述的幅度71个嘎四极耦合常数(Ç Q(71 Ga)的)范围从约0.9至11.0 兆赫。这些复合物的镓磁屏蔽张量的跨度δ11 - δ 33,从大约30到380ppm的范围内; 测定的磷含量范围为10至40 ppm。对于任何给定的膦配体,镓核对X = I的屏蔽作用最强,而对X = Cl的屏蔽性最小,这是以前对于In III-膦配合物观察到的趋势。DFT计算重现了这种实验趋势,归因于卤素配体的自旋轨道效应。一些加合物的C Q(69/71 Ga)的迹象是通过对用魔角旋转(MAS)获得的31 P NMR光谱进行分析确定的。的1 Ĵ(69/71镓,31 P)和Δ
    DOI:
    10.1002/chem.201202954
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