[t-Bu(H)Ga(μ-NEt2)]2 | 438535-66-1

• 英文名称: [t-Bu(H)Ga(μ-NEt2)]2
• CAS: 438535-66-1
• 化学式: C₁₆H₄₀Ga₂N₂
• 分子量: 399.953
• InChiKey: BAXLXCSVBAVLFE-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  None
• 重原子数：
  None
• 可旋转键数：
  None
• 环数：
  None
• sp3杂化的碳原子比例：
  None
• 拓扑面积：
  None
• 氢给体数：
  None
• 氢受体数：
  None

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  氘代氯仿 、 [t-Bu(H)Ga(μ-NEt2)]2 以 氘代氯仿 为溶剂， 生成 [t-Bu(Cl)Ga(μ-NEt2)]2
  参考文献：
  名称：

  空气稳定的氢化镓[t-Bu（H）Ga（mu-NEt（2））]（2）和相关的氯化物衍生物的合成与表征。

  摘要：

  [t-Bu（H）Ga（mu-NEt（2））]（2）（1）的合成是通过向[Cl（2）Ga（mu-NEt（2））中添加4 t-BuLi来完成的）]（2）。有证据表明，两个叔丁基作为异丁烯丢失，导致形成Ga-H键。氢化镓1对环境空气，氧气，光解和适度加热具有显着的稳定性；但是，在CHCl（3）中，氢化物被氯化物代替，生成了[t-Bu（Cl）Ga（mu-NEt（2））]（2）（2）。化合物1也可以通过向[Cl（2）Ga（mu-NEt（2））]（2）依次添加叔丁基来合成。还分离出了一个单取代的叔丁基二聚物t-Bu（Cl）Ga（mu-NEt（2））（2）GaCl（2）（3），并描述了1、2和3之间的相互转化。测试了化合物1在GaN的化学气相沉积中的效用，并在低温下生成了​​富含镓的薄膜（<

  DOI：

  10.1021/ic011278a
• 作为产物：
  描述：

  calcium hydride 、 [t-Bu(Cl)Ga(μ-NEt2)]2 以 not given 为溶剂， 以0%的产率得到[t-Bu(H)Ga(μ-NEt2)]2
  参考文献：
  名称：

  空气稳定的氢化镓[t-Bu（H）Ga（mu-NEt（2））]（2）和相关的氯化物衍生物的合成与表征。

  摘要：

  [t-Bu（H）Ga（mu-NEt（2））]（2）（1）的合成是通过向[Cl（2）Ga（mu-NEt（2））中添加4 t-BuLi来完成的）]（2）。有证据表明，两个叔丁基作为异丁烯丢失，导致形成Ga-H键。氢化镓1对环境空气，氧气，光解和适度加热具有显着的稳定性；但是，在CHCl（3）中，氢化物被氯化物代替，生成了[t-Bu（Cl）Ga（mu-NEt（2））]（2）（2）。化合物1也可以通过向[Cl（2）Ga（mu-NEt（2））]（2）依次添加叔丁基来合成。还分离出了一个单取代的叔丁基二聚物t-Bu（Cl）Ga（mu-NEt（2））（2）GaCl（2）（3），并描述了1、2和3之间的相互转化。测试了化合物1在GaN的化学气相沉积中的效用，并在低温下生成了​​富含镓的薄膜（<

  DOI：

  10.1021/ic011278a