二
氟硅烷硫酮
F2Si=S (1) 已通过 (
F3Si)2S 在 ≥ 500 °C 下的快速真空热解合成并被困在 Ar 基质中。此外,通过 SiS 和 F2/Ar 的共沉积以及在低温条件下热解基质分离的 SiS2-XeF2 复合物,已经获得了 1。在矩阵红外光谱中观察到 1 的所有六个振动基础。已经使用大型基组在 MP2 和 CC
SD(T) 级别进行了从头算计算。这些计算指导了 1 的检测和振动分配。具有 C2v 对称性的 1 结构的最佳估计是:r(Si=S) 191.1(1) pm, r(SiF) 156.1(1) pm, ki(FSiF) 103.3(2)°。