| 195618-22-5

• CAS: 195618-22-5
• 化学式: C₁₃H₁₈GaNO₃S₃
• 分子量: 402.212
• InChiKey: BDLZJGSUGCNKCO-UHFFFAOYSA-K

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  None
• 重原子数：
  None
• 可旋转键数：
  None
• 环数：
  None
• sp3杂化的碳原子比例：
  None
• 拓扑面积：
  None
• 氢给体数：
  None
• 氢受体数：
  None

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  以 neat (no solvent) 为溶剂， 生成 gallium(III) sulfide
  参考文献：
  名称：

  Synthesis and characterization of gallium thiocarboxylates as novel single-source precursors to gallium sulfide thin films by aerosol-assisted CVD

  摘要：

  首例经结构表征的镓硫羧酸盐化合物 Ga(SCOMe)2Me(dmpy) 1 (dmpy = 3,5-二甲基吡啶) 被合成，并用于在低温下通过气溶胶辅助化学气相沉积法制备高纯度、晶态的硫化镓薄膜。

  DOI：

  10.1039/cc9960001733
• 作为产物：
  描述：

  3,5-二甲基吡啶 、 三乙基镓 、 硫代乙酸 以 甲苯 为溶剂， 生成
  参考文献：
  名称：

  Synthesis and characterization of gallium thiocarboxylates as novel single-source precursors to gallium sulfide thin films by aerosol-assisted CVD

  摘要：

  首例经结构表征的镓硫羧酸盐化合物 Ga(SCOMe)2Me(dmpy) 1 (dmpy = 3,5-二甲基吡啶) 被合成，并用于在低温下通过气溶胶辅助化学气相沉积法制备高纯度、晶态的硫化镓薄膜。

  DOI：

  10.1039/cc9960001733