对于能量转换和存储以及分子传感至关重要的电荷转移事件发生在带电界面上。传统上,对界面的合成控制是通过分子的电极特异性共价束缚来实现的。共价键本质上限制了分子可调电极的范围和潜在稳定性窗口。在这里,我们报告了一种与电极表面
化学无关的合成策略,以分子方式定义带电界面。我们将
二茂铁氧化还原报告基团附加到两亲物上,利用非共价静电和范德华相互作用来制备在 2.9 V 范围内稳定的自组装层。该层的伏安响应和原位红外光谱模拟了类似的共价键合
二茂铁的报道。该设计是电极正交的;层自组装是可逆的并且与底层电极材料的表面
化学无关。我们证明该设计可用于多种电极材料类别(过渡
金属、碳、碳复合材料)和形态(纳米结构、平面)。我们的工作将原子级精确的两亲物有机合成与极化电极上的原位非共价自组装相结合,为带电界面的预测性和无污染合成控制奠定了基础。