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[(η5-C5Me5)(η5-C5H4(CH2)3(C4H4N))tantalum(V)(OH)Cl]Cl | 1021490-90-3

中文名称
——
中文别名
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英文名称
[(η5-C5Me5)(η5-C5H4(CH2)3(C4H4N))tantalum(V)(OH)Cl]Cl
英文别名
——
[(η5-C5Me5)(η5-C5H4(CH2)3(C4H4N))tantalum(V)(OH)Cl]Cl化学式
CAS
1021490-90-3
化学式
C22H30ClNOTa*Cl
mdl
——
分子量
576.34
InChiKey
AMUFZMNAYVMAAW-UHFFFAOYSA-K
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

反应信息

  • 作为反应物:
    描述:
    [(η5-C5Me5)(η5-C5H4(CH2)3(C4H4N))tantalum(V)(OH)Cl]Cl氢氧化钾 作用下, 以 甲苯 为溶剂, 以77%的产率得到[(η5-C5Me5)(η5-C5H4(CH2)3(C4H4N))tantalum(V)(O)Cl]
    参考文献:
    名称:
    金属茂配位羟离子的和氧代基的Ta(V)的配合物的电化学性能:的[Cp *(CPR)TaOHCl] +氯-,R = H,森达3或(CH 2)3 NC 4 ħ 4中,Cp *(CP(CH 2)3 NC 4 H 4)TaOCl:带有钽茂配合物的导电聚合物膜的电化学沉积
    摘要:
    的三种阳离子tantalocene羟配合物的氧化还原性能,的[Cp *(CPR)的Ta V OHCl] +,其中一个pentamethylated环戊二烯基配中,Cp * =η 5 -C 5我5中,Me = CH 3,和一个单取代的环戊二烯基配位体和CPR ,Cp = C 5 H 4,R = H,SiMe 3或(CH 2)3 NC 4 H 4,以及含吡咯配体的羰基配合物,Cp *(Cp(CH 2)3 NC 4高4TaOCl已在乙腈溶液中用循环伏安法在Ta(V)还原为Ta(IV)和Ta(III)的范围内进行了研究。由于还原的复合物的解离和氯离子配体的损失,这两个转变都是不可逆的。根据羟基络合物与相应的羰基络合物Cp *(CpR)TaOCl的可逆去质子化/质子化平衡,讨论了羟基络合物还原的机理。钽茂金属配合物系列中Ta(V)/ Ta(IV)的还原电位在负方向上的变化:二氯化物>羟基>氧代,以及还原态(Ta(IV
    DOI:
    10.1016/j.electacta.2007.08.051
  • 作为产物:
    描述:
    [(η5-C5Me5)(η5-C5H4(CH2)3(C4H4N))tantalum(IV)Cl2]氧气air 作用下, 以 四氢呋喃 为溶剂, 以42%的产率得到[(η5-C5Me5)(η5-C5H4(CH2)3(C4H4N))tantalum(V)(OH)Cl]Cl
    参考文献:
    名称:
    金属茂配位羟离子的和氧代基的Ta(V)的配合物的电化学性能:的[Cp *(CPR)TaOHCl] +氯-,R = H,森达3或(CH 2)3 NC 4 ħ 4中,Cp *(CP(CH 2)3 NC 4 H 4)TaOCl:带有钽茂配合物的导电聚合物膜的电化学沉积
    摘要:
    的三种阳离子tantalocene羟配合物的氧化还原性能,的[Cp *(CPR)的Ta V OHCl] +,其中一个pentamethylated环戊二烯基配中,Cp * =η 5 -C 5我5中,Me = CH 3,和一个单取代的环戊二烯基配位体和CPR ,Cp = C 5 H 4,R = H,SiMe 3或(CH 2)3 NC 4 H 4,以及含吡咯配体的羰基配合物,Cp *(Cp(CH 2)3 NC 4高4TaOCl已在乙腈溶液中用循环伏安法在Ta(V)还原为Ta(IV)和Ta(III)的范围内进行了研究。由于还原的复合物的解离和氯离子配体的损失,这两个转变都是不可逆的。根据羟基络合物与相应的羰基络合物Cp *(CpR)TaOCl的可逆去质子化/质子化平衡,讨论了羟基络合物还原的机理。钽茂金属配合物系列中Ta(V)/ Ta(IV)的还原电位在负方向上的变化:二氯化物>羟基>氧代,以及还原态(Ta(IV
    DOI:
    10.1016/j.electacta.2007.08.051
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