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tri(butan-1-id-1-yl)(1,1,1,3,3,3-hexamethyl-2-(trimethylsilyl)-2l5-disilaphosphan-2-yl)indium(VII)
tri(butan-1-id-1-yl)(1,1,1,3,3,3-hexamethyl-2-(trimethylsilyl)-2l5-disilaphosphan-2-yl)indium(VII) | 193072-62-7
中文名称
——
中文别名
——
英文名称
tri(butan-1-id-1-yl)(1,1,1,3,3,3-hexamethyl-2-(trimethylsilyl)-2l5-disilaphosphan-2-yl)indium(VII)
英文别名
——
CAS
193072-62-7
化学式
C
21
H
54
InPSi
3
mdl
——
分子量
536.71
InChiKey
BOBCQINTMHHJDJ-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
物化性质
计算性质
ADMET
安全信息
SDS
制备方法与用途
上下游信息
反应信息
文献信息
表征谱图
同类化合物
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相关结构分类
计算性质
辛醇/水分配系数(LogP):
None
重原子数:
None
可旋转键数:
None
环数:
None
sp3杂化的碳原子比例:
None
拓扑面积:
None
氢给体数:
None
氢受体数:
None
反应信息
作为产物:
描述:
氘代3-氨基-5-吗啉-4-甲基-恶唑-2-啉酮
、
tri-n-butylindium
以
正己烷
为溶剂, 以72%的产率得到tri(butan-1-id-1-yl)(1,1,1,3,3,3-hexamethyl-2-(trimethylsilyl)-2l5-disilaphosphan-2-yl)indium(VII)
参考文献:
名称:
镓和铟烷基磷鎓配合物的热诱导转变:脱烷基甲硅烷基化成MP(M = Ga,In)
摘要:
n Bu 2 GaCl与1当量的P(SiMe 3)3的脱卤代甲硅烷基化反应提供了[ n Bu 2 GaP(SiMe 3)2 ] 2(1)的高收率。n BuGaCl 2和P(SiMe 3)3之间的类似反应得到[ n Bu(Cl)GaP(SiMe 3)2 ] 2(2)。化合物1通过X射线晶体学表征,并具有近似正方形的平面Ga 2 P2分子核心。P和Ga中心都在扭曲的四面体环境中。热分解1,在400℃下,所产生的GaP和BuSiMe 3并且没有其他结晶产物,通过热和光谱分析证实。1([(n Bu)2 InP(SiMe 3)2 ] 2(3)的铟类似物是由(n Bu)2 InCl与P(SiMe 3)3反应制得的。3的热分解在氮气氛下,在400°C下,生成丁烯,丁烷和丁基三甲基硅烷,为有机产物和深灰色固体。该固体的粉末X射线衍射表明它由InP和金属铟组成。In(n Bu)3与P(SiMe 3)3的组合产生单体加合物(n
DOI:
10.1021/om9701682
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