tellurium diselenide | 82778-59-4

• 英文名称: tellurium diselenide
• CAS: 82778-59-4
• 化学式: Se₂Te
• 分子量: 285.52
• InChiKey: MQUDLWPFCGQGLI-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -1.14
• 重原子数：
  3.0
• 可旋转键数：
  0.0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  0.0
• 氢给体数：
  0.0
• 氢受体数：
  0.0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  氢化钆 、 tellurium diselenide 以 neat (no solvent, solid phase) 为溶剂， 生成
  参考文献：
  名称：

  钆插层二硒化钛的磁性

  摘要：

  摘要 Gd 含量从x = 0 到x = 0.33 的层状GdxTiSe2 化合物是通过将Gd 直接嵌入TiSe2 基质中合成的。Gd 插层导致面内晶格参数的增长，而平均层间距离随着插层而减小。在稳态和脉冲磁场中对直流磁化率和磁化强度的测量揭示了 GdxTiSe2 (0.1 ⩽ x ⩽ 0.33) 化合物在 TN ≈ 9 K 以下的反铁磁行为。观察到 GdxTiSe2 中每个 Gd 离子的有效磁矩接近于游离 Gd3+ 离子的 μ eff 。

  DOI：

  10.1016/j.physleta.2007.04.084
• 作为产物：
  描述：

  selenium 、 四氢化物钛 以 neat (no solvent, solid phase) 为溶剂， 生成 tellurium diselenide
  参考文献：
  名称：

  钆插层二硒化钛的磁性

  摘要：

  摘要 Gd 含量从x = 0 到x = 0.33 的层状GdxTiSe2 化合物是通过将Gd 直接嵌入TiSe2 基质中合成的。Gd 插层导致面内晶格参数的增长，而平均层间距离随着插层而减小。在稳态和脉冲磁场中对直流磁化率和磁化强度的测量揭示了 GdxTiSe2 (0.1 ⩽ x ⩽ 0.33) 化合物在 TN ≈ 9 K 以下的反铁磁行为。观察到 GdxTiSe2 中每个 Gd 离子的有效磁矩接近于游离 Gd3+ 离子的 μ eff 。

  DOI：

  10.1016/j.physleta.2007.04.084

文献信息

• Selenium−Tellurium Sequences in Binary Glasses as Depicted by ⁷⁷Se and ¹²⁵Te NMR
  作者：Bruno Bureau、Catherine Boussard-Plédel、Marie LeFloch、Johann Troles、Frédéric Smektala、Jacques Lucas

  DOI：10.1021/jp044398n

  日期：2005.4.1

  Some resolved solid state Se-77 NMR spectra are presented in the TexSe1-x vitreous system at ambient temperature. They exhibit three different kinds of Se lines assigned to the following Se atom neighborhoods: Se-Se-Se, Se-Se-Te, and Te-Se-Te. Different models were considered to describe the way the Se and Te atoms are linked into the chains: clustering process, homogeneous distribution, random distribution. Finally, thanks to the measurements of the relative intensities of the lines, it appears that Se and Te atoms are mainly randomly distributed with a small preference for heteropolar bonds. The Te-125 spectra are also shown but their resolution is too weak to be informative concerning the vitreous network.