名称:
新型一维导体的合成与性能 反式-双-1-炔基取代的硅,锗,锡酞菁和半卟啉锗的合成与表征
摘要:
几种新的反式-双-1-炔基(邻苯二甲酰基萘)硅(VIc-f),-锗(VIIc-f)和-锡(VIIId,f)化合物以及反-双--1--1-炔基(hemiporphyrazinato)的制备描述了锗(XIc,e,f)衍生物。通过在四氢呋喃(THF)中用1-炔基格氏试剂(Vc-f)处理相应的二氯化物(I,II,IV,X; X =(Cl)),以高收率获得产物,并进行光谱表征。被认为是一种新型一维导体的模型。
DOI:
10.1016/s0022-328x(00)80500-8