报道了一种新的杂双核络合物[Zn(H 2 O)(valpn)Eu(NO 3)3 ]的合成,结构研究和光物理性质[H 2 valpn = 1,3-丙二基双(2-亚
氨基亚
甲基- 6-
甲氧基苯酚)]。在没有在室温下
铕发射的天线型致敏,以下激发到得到最强的
金属中心的发射7 ˚F 0 - 5 d 2在535 nm处跃迁。相反,在80 K时,通过激发到〜425 nm处的高强度,低位
配体-
金属电荷转移带(L
MCT)的最大值激发,获得了最强的emission发射。
铕的光物理性质的整体温度引起的变化被分配到L
MCT的相对位置和3个ππ*配位体状态的
铕激发
水平。结果可以解释缺乏报道的具有这种类型的
配体的某些complex配合物的天线效应。