| 811786-07-9

• CAS: 811786-07-9
• 化学式: C₁₄H₃₄Ga₂O₄
• 分子量: 405.868
• InChiKey: UYISCMKAQILSGJ-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  None
• 重原子数：
  None
• 可旋转键数：
  None
• 环数：
  None
• sp3杂化的碳原子比例：
  None
• 拓扑面积：
  None
• 氢给体数：
  None
• 氢受体数：
  None

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  乙二醇甲醚 、 三乙基镓 以 正己烷 为溶剂， 生成
  参考文献：
  名称：

  Molecular precursors to gallium oxide thin films

  摘要：

  在室温下，Et3Ga 与 ROH 在己烷或二氯甲烷中发生 1∶1 反应，合成了供体官能化的烷氧基化合物 [Et2Ga(OR)]2（R = CH2CH2NMe2 (1)、CH(CH2NMe2)2 (2)、CH2CH2OMe (3)、CH(CH3)CH2NMe2 (4)、C(CH3)2CH2OMe (5)）。Et3Ga 与过量的 ROH 在回流甲苯中反应，分离出 1∶1 的 [Et2Ga(OR)]2 和乙基镓双氧化物 [EtGa(OR)2] 混合物（R = CH2CH2NMe2 (6) 或 CH(CH3)CH2NMe2 (7)）。X 射线晶体学显示，化合物 6 是单体的，该复合物代表了首个结构上定性的单体双氧化镓。通过[Ga(NMe2)3]2 与 ROH（R = CH2CH2NMe2 (8)、CH(CH3)CH2NMe2 (9)、C(CH3)2CH2OMe (10)）的 1∶6 反应，制备了同质的三氧化二镓[Ga(OR)3]2。通过热重分析研究了化合物 1、4、5 和 8 的分解情况。1 和 5 的低压化学气相沉积形成了结晶 Ga2O3 薄膜。

  DOI：

  10.1039/b412434k