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cis-SnCl4(acetone)2 | 16923-30-1

中文名称
——
中文别名
——
英文名称
cis-SnCl4(acetone)2
英文别名
——
cis-SnCl4(acetone)2化学式
CAS
16923-30-1;19205-97-1;86334-40-9
化学式
C6H12Cl4O2Sn
mdl
——
分子量
376.682
InChiKey
SYGOHZIVZNAKDV-UHFFFAOYSA-J
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
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  • SDS
  • 制备方法与用途
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  • 反应信息
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  • 表征谱图
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计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    None
  • 重原子数:
    None
  • 可旋转键数:
    None
  • 环数:
    None
  • sp3杂化的碳原子比例:
    None
  • 拓扑面积:
    None
  • 氢给体数:
    None
  • 氢受体数:
    None

反应信息

  • 作为产物:
    描述:
    四氯化锡 在 acetone 作用下, 以 further solvent(s) 为溶剂, 生成 cis-SnCl4(acetone)2
    参考文献:
    名称:
    四卤化锡(IV)与中性路易斯碱的加合物。一,溶液中顺反异构现象的振动研究
    摘要:
    摘要合成并分析了大量的SnX4·2L和SnX4·LL四卤化锡(IV)加合物(X = Cl,Br; L = Me2O,Et2O,THF,Me2S,Et2S,THT,Me2Se,MeCN,Me3CCN,Me3CO ,HMPA,TMPA; L =(MeOCH2-)2)。它们的顺式或反式几何结构通过红外和拉曼光谱法测定。对于SnCl4·2THT加合物,可以通过改变溶剂极性来分离两种异构体。对于大多数加合物,通过拉曼测量已证明溶液中存在顺式-反式平衡。这种平衡在很大程度上取决于溶剂的极性,顺式异构体在高极性介质中是有利的。使用威尔逊FG矩阵的简化模型,确定Sn-X力常数,并推导以下序列以得出SnX4·2L中锡-配体键的强度:Me2Se> Me2S〜THT〜Et2S>
    DOI:
    10.1016/s0020-1693(00)94120-3
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文献信息

  • Tin-119 NMR studies on some adducts of tin(IV) halides
    作者:Ray Colton、Dainis Dakternieks
    DOI:10.1016/s0020-1693(00)83645-2
    日期:1983.1
    Tin-119 and phosphorus-31 NMR spectra have been recorded for SnCI4L2, SnBr4L2 (L = tributylphosphine oxide) and mixtures thereof. The compound SnCl4L2 exists predominantly as the trans L2 isomer with a small proportion of the cis L2 isomer also present in solution whereas SnBr4L2 appears to be present only as the trans L2 isomer. In the mixed solution all the trans snCIxBr4−xL2 species are observed
    已记录SnCl 4 L 2,SnBr 4 L 2(L =三丁基氧化膦)及其混合物的锡11931 NMR光谱。化合物SnCl 4 L 2主要以反式L 2异构体的形式存在,少量顺式L 2异构体也存在于溶液中,而SnBr 4 L 2似乎仅以反式L 2异构体形式存在。在混合溶液中,观察到所有的反式snCI x Br 4-x L 2物种。阴离子络合物[SnCI5- L] -和[SnBr 5 L] -在溶液中均显示出与SnX 4 L 2和[SnX 6 ] 2-的轻微离解(X = CI,Br)。[SnCl 5 L] -和[SnBr 5 L] -等摩尔混合物的199 NMR光谱显示了十二种[SnCI x Br 5-x L] -可能的十种。
  • Kravchenko, E. A.; Morgunov, V. G.; Burtsev, M. Yu., Journal of general chemistry of the USSR, 1990, vol. 60, p. 1737 - 1746
    作者:Kravchenko, E. A.、Morgunov, V. G.、Burtsev, M. Yu.、Buslaev, Yu. A.
    DOI:——
    日期:——
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