12-(ferrocenylcarbonyl)undecyl bromide | 349581-62-0

• 英文名称: 12-(ferrocenylcarbonyl)undecyl bromide
• 英文别名: 12-bromododecanoyl ferrocene
• CAS: 349581-62-0
• 化学式: C₂₂H₃₁BrFeO
• 分子量: 447.239
• InChiKey: YBWLTAHVQOTCGK-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  None
• 重原子数：
  None
• 可旋转键数：
  None
• 环数：
  None
• sp3杂化的碳原子比例：
  None
• 拓扑面积：
  None
• 氢给体数：
  None
• 氢受体数：
  None

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  12-(ferrocenylcarbonyl)undecyl bromide 在 三乙基硅烷 、 氢气 、 四氯化钛 作用下， 以 二氯甲烷 为溶剂， 生成 12-bromododecylferrocene
  参考文献：
  名称：

  阴离子表面活性剂与二茂铁封端自组装单层的氧化还原诱导离子配对：法拉第电化学和单层/液体界面处的表面活性剂聚集

  摘要：

  通过循环伏安法和表面等离子体共振研究了在 6、8、10 和 12 个碳的表面活性正烷基硫酸钠 (NaCnSO4) 水溶液中氧化还原二茂铁基十二烷硫醇盐在金上的自组装单层 (SAM)。检查了表面活性剂胶束化和烷基链长度对表面束缚二茂铁的氧化还原反应的影响。SAM 氧化还原电化学对溶液中的表面活性剂聚集状态很敏感。浓度高于临界胶束浓度的烷基硫酸钠的非理想行为导致 SAM 氧化还原电位随浓度的非能斯特变化。溶液中胶束的存在导致阳极到阴极峰分离和阳极峰半峰全宽降低。更长的烷基链长度导致烷基硫酸根阴离子与 SAM 结合的二茂铁离子配对的能力增加，导致二茂铁在较低电位下氧化。在理想行为的固定表面活性剂浓度下的 SAM 氧化还原电位的比较表明，较短链 C6SO4(-) 和较长链 C12SO4(-) 的离子配对能力存在 4.5 × 10(4) 差异。可用的 SAM 结合的二茂铁中有一半在 NaCnSO4

  DOI：

  10.1021/ja408512q
• 作为产物：
  描述：

  二茂铁 、 12-溴十二烷酰氯 以 二氯甲烷 为溶剂， 生成 12-(ferrocenylcarbonyl)undecyl bromide
  参考文献：
  名称：

  阴离子表面活性剂与二茂铁封端自组装单层的氧化还原诱导离子配对：法拉第电化学和单层/液体界面处的表面活性剂聚集

  摘要：

  通过循环伏安法和表面等离子体共振研究了在 6、8、10 和 12 个碳的表面活性正烷基硫酸钠 (NaCnSO4) 水溶液中氧化还原二茂铁基十二烷硫醇盐在金上的自组装单层 (SAM)。检查了表面活性剂胶束化和烷基链长度对表面束缚二茂铁的氧化还原反应的影响。SAM 氧化还原电化学对溶液中的表面活性剂聚集状态很敏感。浓度高于临界胶束浓度的烷基硫酸钠的非理想行为导致 SAM 氧化还原电位随浓度的非能斯特变化。溶液中胶束的存在导致阳极到阴极峰分离和阳极峰半峰全宽降低。更长的烷基链长度导致烷基硫酸根阴离子与 SAM 结合的二茂铁离子配对的能力增加，导致二茂铁在较低电位下氧化。在理想行为的固定表面活性剂浓度下的 SAM 氧化还原电位的比较表明，较短链 C6SO4(-) 和较长链 C12SO4(-) 的离子配对能力存在 4.5 × 10(4) 差异。可用的 SAM 结合的二茂铁中有一半在 NaCnSO4

  DOI：

  10.1021/ja408512q

文献信息

• Initial evaluation of ^99m Tc-tricarbonyl-cyclopentadienyl fatty acids derivatives as SPECT tracers for myocardium
  作者：Jianping Liu、Huan Wang、Shuxia Wang、Qianqian Xue、Dawei Wang、Hang Wang、Huabei Zhang

  DOI：10.1002/jlcr.3497

  日期：2017.5.15

  Fatty acids are myocardial metabolic agent for detecting myocardial ischemia and infraction. However, no 99m Tc-labeled fatty acids had potential use in clinical practice. In this study, 99m Tc-CpTT-10-oxo-para-PPA (1d), 99m Tc-CpTT-11-oxo-para-PPA (2d), 99m Tc-CpTT-12-oxo-para-PPA (3d), 99m Tc-CpTT-11-oxo-ortho-PPA (4d), and 99m Tc-CpTT-11-oxo-meta-PPA (5d) were synthesized by a double ligand transfer

  脂肪酸是检测心肌缺血和梗死的心肌代谢剂。然而，没有 99m Tc 标记的脂肪酸在临床实践中具有潜在用途。在本研究中，99m Tc-CpTT-10-oxo-para-PPA (1d)、99m Tc-CpTT-11-oxo-para-PPA (2d)、99m Tc-CpTT-12-oxo-para-PPA (3d) )、99m Tc-CpTT-11-oxo-ortho-PPA (4d) 和 99m Tc-CpTT-11-oxo-meta-PPA (5d) 通过双配体转移反应合成，并研究了它们的生物学行为。化合物 2d 实现了良好的心血比（静脉注射后 5 分钟时为 3.39），并且在注射后 5 分钟时，2d 显示出 6.20% ID/g 的高心脏摄取。化合物 3d 在心肌中的滞留时间延长（注射后 60 分钟时为 1.43% ID/g）。肺、脾和血液中的放射性积累被迅速消除。体内，代谢物分析表明，
• 锝-99m标记的三苯基膦盐衍生物的制备方法与应用
  申请人：河南中医药大学

  公开号：CN108484687A

  公开（公告）日：2018-09-04

  本发明涉及锝‑99m标记的三苯基膦盐衍生物的制备方法与应用，可有效解决三苯基膦盐衍生物的制备，并用于阳离子心肌显像剂的问题，方法是，ω‑溴代脂肪烃酸I反应得到ω‑溴代脂肪烃酰氯Ⅱ，将ω‑溴代脂肪烃酰氯Ⅱ与二茂铁反应，生成氯被二茂铁取代的中间体Ⅲ，将中间体Ⅲ与三苯基膦反应，经分离得固体产物前体Ⅳ，将放射性活度为740 MBq的Na99mTcO4淋洗液加入聚四氟高压罐中，用N2吹干，加入产物前体、Cr(CO)6、CrCl3和甲醇，密封聚四氟高压罐；油浴下磁力搅拌，然后冰浴，过滤，滤液用HPLC进行纯化、分析鉴定得到锝‑99m标记的三苯基膦盐衍生物Ⅳ，本发明方法简单，易操作，原料丰富，成本低，产率高，有效用于制备SPECT心肌灌注显像剂，医用和商业价值大。
• High density memory device
  申请人：Bocian F. David

  公开号：US20060209587A1

  公开（公告）日：2006-09-21

  This invention provides novel high density memory devices that are electrically addressable permitting effective reading and writing, that provide a high memory density (e.g., 10 15 bits/cm 3 ), that provide a high degree of fault tolerance, and that are amenable to efficient chemical synthesis and chip fabrication. The devices are intrinsically latchable, defect tolerant, and support destructive or non-destructive read cycles. In a preferred embodiment, the device comprises a fixed electrode electrically coupled to a storage medium having a multiplicity of different and distinguishable oxidation states wherein data is stored in said oxidation states by the addition or withdrawal of one or more electrons from said storage medium via the electrically coupled electrode.

  本发明提供了一种新型的高密度存储器件，具有电学可寻址性，可有效地进行读写操作，提供高存储密度（例如，1015比特/立方厘米），具有高度的容错性，并且适用于高效的化学合成和芯片制造。这些器件本质上是可锁定的、缺陷容忍的，并支持破坏性或非破坏性读取周期。在首选实施例中，该器件包括一个固定电极，与一个具有多种不同和可区分氧化态的存储介质电学耦合，通过电学耦合的电极向存储介质中添加或撤回一个或多个电子，将数据存储在所述氧化态中。
• High density non-volatile memory device
  申请人：The Regents of the University of California

  公开号：US07042755B1

  公开（公告）日：2006-05-09

  This invention provides novel high density memory devices (FIG. 3) that are electrically addressable permitting effective reading and writing, that provide a high memory density (102), that provide a high degree of fault tolerance, and that are amenable to efficient chemical synthesis and chip fabrication. The devices arc intrinsically latchable, defect tolerant, and support destructive or non-destructive read cycles. In a preferred embodiment, the device comprises a fixed electrode electrically coupled to a storage medium having a multiplicity of different and distinguishable oxidation states wherein data is stored in said oxidation states by the addition or withdrawal of one or more electrons from said storage medium via the electrically coupled electrode.

  本发明提供了一种新型高密度存储器件（图3），可进行电子寻址，以实现有效的读写，提供高密度存储（102），具有高度的容错性，并且适用于高效的化学合成和芯片制造。该设备本质上是可锁存的，具有缺陷容忍能力，并支持破坏性或非破坏性读取周期。在首选实施例中，该设备包括与一个存储介质电性耦合的固定电极，该存储介质具有多种不同的可区分的氧化态，其中通过向存储介质中加入或撤回一个或多个电子来将数据存储在该氧化态中。