| 811786-08-0

• CAS: 811786-08-0
• 化学式: C₁₈H₄₄Ga₂N₂O₂
• 分子量: 460.006
• InChiKey: LQQMSNCNLZTRSU-OJPDFICISA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  None
• 重原子数：
  None
• 可旋转键数：
  None
• 环数：
  None
• sp3杂化的碳原子比例：
  None
• 拓扑面积：
  None
• 氢给体数：
  None
• 氢受体数：
  None

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  以 neat (no solvent) 为溶剂， 生成
  参考文献：
  名称：

  Syntheses, X-ray structures and CVD studies of diorganoalkoxogallanes

  摘要：

  Structural studies by X-ray crystallography have been carried out for a range of diorganoalkoxogallanes incorporating donor-functionalized ligands. The compounds [Et2Ga(mu-OR)](2) (1, R= CH2CH2NMe2; 2, R = CH(CH3) CH2NMe2; 3, C(CH3) 2CH(2)OMe; 4, R = CH(CH2NMe2) 2) adopt dimeric structures with a planar Ga2O2 ring, and each gallium atom is coordinated in a distorted trigonal bipyramidal geometry. Low pressure chemical vapor deposition (CVD) of 2 and 4 resulted in the formation of oxygen deficient gallium oxide thin films on glass. However, the reaction of Et3Ga and ROH (R = CH2CH2NMe2, CH(CH3) CH2NMe2, C(CH3)(2)CH2OMe, CH(CH2NMe2) 2) in toluene under aerosol assisted (AA) CVD conditions afforded stoichiometric Ga2O3 thin films on glass. This CVD technique offers a rapid, convenient route to Ga2O3, which involves the in situ formation of diethylalkoxogallanes, of the type [Et2Ga(mu-OR)](2), the structures of which are described in this paper. The gallium oxide films were deposited at 450 degrees C and analyzed by scanning electron microscopy (SEM), X-ray powder diffraction, wavelength dispersive analysis of X-rays (WDX), X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and Raman spectroscopy. (C) 2008 Elsevier B.V. All rights reserved.

  DOI：

  10.1016/j.jorganchem.2008.01.042
• 作为产物：
  描述：

  N,N-二甲基异丙醇胺 、 三乙基镓 以 二氯甲烷 为溶剂， 以95%的产率得到
  参考文献：
  名称：

  Molecular precursors to gallium oxide thin films

  摘要：

  在室温下，Et3Ga 与 ROH 在己烷或二氯甲烷中发生 1∶1 反应，合成了供体官能化的烷氧基化合物 [Et2Ga(OR)]2（R = CH2CH2NMe2 (1)、CH(CH2NMe2)2 (2)、CH2CH2OMe (3)、CH(CH3)CH2NMe2 (4)、C(CH3)2CH2OMe (5)）。Et3Ga 与过量的 ROH 在回流甲苯中反应，分离出 1∶1 的 [Et2Ga(OR)]2 和乙基镓双氧化物 [EtGa(OR)2] 混合物（R = CH2CH2NMe2 (6) 或 CH(CH3)CH2NMe2 (7)）。X 射线晶体学显示，化合物 6 是单体的，该复合物代表了首个结构上定性的单体双氧化镓。通过[Ga(NMe2)3]2 与 ROH（R = CH2CH2NMe2 (8)、CH(CH3)CH2NMe2 (9)、C(CH3)2CH2OMe (10)）的 1∶6 反应，制备了同质的三氧化二镓[Ga(OR)3]2。通过热重分析研究了化合物 1、4、5 和 8 的分解情况。1 和 5 的低压化学气相沉积形成了结晶 Ga2O3 薄膜。

  DOI：

  10.1039/b412434k