合成并彻底表征了由2-(3-硼基-2-噻吩基)噻唑衍生的三个受体-π-桥-受体(A-π-A)分子。在噻吩并噻唑中掺入BN单元并连接合适的受体部分可以得到具有较低LUMO水平的环境稳定的A-π-A分子。在真空沉积有机薄膜晶体管(OTFT)中测试了它们在有机电子领域的应用潜力。基于硼基-噻吩并噻唑和1,1-二氰基亚甲基-3-茚满酮(DCIND)受体部分的OTFT器件的电子迁移率约为1.4×10 -2 cm 2 V -1 s -1在空气中,这是迄今为止有机硼小分子报道的最高电子迁移率。相反,采用丙二腈(MAL)衍生物作为活性层的器件没有显示任何电荷传输行为。正如茚满二酮(IND)和MAL衍生物的单晶X射线分析所表明的,与MAL分子相比,IND(和DCIND)迁移率的提高可归因于所赋予的固态中有效的二维π堆积由具有扩展π表面的受体部分组成。