(Me2GaSSiPh3)2 | 858517-45-0

• 英文名称: (Me2GaSSiPh3)2
• 英文别名: (Me₂GaSSiPh₃)₂
• CAS: 858517-45-0
• 化学式: C₄₀H₄₂Ga₂S₂Si₂
• 分子量: 782.522
• InChiKey: REIRZWHUHQCWLQ-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  None
• 重原子数：
  None
• 可旋转键数：
  None
• 环数：
  None
• sp3杂化的碳原子比例：
  None
• 拓扑面积：
  None
• 氢给体数：
  None
• 氢受体数：
  None

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  (Me2GaSSiPh3)2 生成 (Me₂GaSSiPh₃)₃
  参考文献：
  名称：

  Silylated gallium and indium chalcogenide ring systems as potential precursors to ME (E=O, S) materials

  摘要：

  摘要：R3M（M=Ga，In）与HESiR′3（E=O，S；R′3=Ph3，iPr3，Et3，tBuMe2）的反应在室温下高产率地形成(Me2GaOSiPh3)2(1)；(Me2GaOSitBuMe2)2(2)；(Me2GaOSiEt3)2(3)；(Me2InOSiPh3)2(4)；(Me2InOSitBuMe2)2(5)；(Me2InOSiEt3)2(6)；(Me2GaSSiPh3)2(7)；(Et2GaSSiPh3)2(8)；(Me2GaSSiiPr3)2(9)；(Et2GaSSiiPr3)2(10)；(Me2InSSiPh3)3(11)；(Me2InSSiiPr3)n(12)。这些化合物经过多核NMR表征，并在大多数情况下通过X射线晶体学进行了表征。已确定了(1)、(4)、(7)和(8)的分子结构。化合物(3)、(6)和(10)在室温下为液体。在固态中，(1)、(4)、(7)和(9)为二聚体，其二聚体的中心核由M2E2四元环组成。对(7)的VT-NMR研究显示在溶液中四元环和六元环之间有易于重新分布。通过TGA检测了(1)–(12)的热分解，温度范围为200至350°C。对(1)和(2)的大量热解导致形成Ga2O3；(4)和(5)形成In金属；(7)–(10)形成GaS；(11)–(12)形成InS粉末。

  DOI：

  10.2478/s11532-013-0255-y
• 作为产物：
  描述：

  三苯基硅烷硫醇 、 三甲基铟 以 甲苯 为溶剂， 以95%的产率得到(Me2GaSSiPh3)2
  参考文献：
  名称：

  Silylated gallium and indium chalcogenide ring systems as potential precursors to ME (E=O, S) materials

  摘要：

  摘要：R3M（M=Ga，In）与HESiR′3（E=O，S；R′3=Ph3，iPr3，Et3，tBuMe2）的反应在室温下高产率地形成(Me2GaOSiPh3)2(1)；(Me2GaOSitBuMe2)2(2)；(Me2GaOSiEt3)2(3)；(Me2InOSiPh3)2(4)；(Me2InOSitBuMe2)2(5)；(Me2InOSiEt3)2(6)；(Me2GaSSiPh3)2(7)；(Et2GaSSiPh3)2(8)；(Me2GaSSiiPr3)2(9)；(Et2GaSSiiPr3)2(10)；(Me2InSSiPh3)3(11)；(Me2InSSiiPr3)n(12)。这些化合物经过多核NMR表征，并在大多数情况下通过X射线晶体学进行了表征。已确定了(1)、(4)、(7)和(8)的分子结构。化合物(3)、(6)和(10)在室温下为液体。在固态中，(1)、(4)、(7)和(9)为二聚体，其二聚体的中心核由M2E2四元环组成。对(7)的VT-NMR研究显示在溶液中四元环和六元环之间有易于重新分布。通过TGA检测了(1)–(12)的热分解，温度范围为200至350°C。对(1)和(2)的大量热解导致形成Ga2O3；(4)和(5)形成In金属；(7)–(10)形成GaS；(11)–(12)形成InS粉末。

  DOI：

  10.2478/s11532-013-0255-y