[Ti6O6(OSi(CH3)3)6(OOCBu(t))6] | 1017529-07-5

• 英文名称: [Ti6O6(OSi(CH3)3)6(OOCBu(t))6]
• 英文别名: [Ti6O6(OSiMe3)6(OOCtBu)6]
• CAS: 1017529-07-5
• 化学式: C₄₈H₁₀₈O₂₄Si₆Ti₆
• 分子量: 1525.16
• InChiKey: UPYQKACPGLEFCJ-UHFFFAOYSA-H

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  [Ti6O6(OSi(CH3)3)6(OOCBu(t))6] 以 neat (no solvent) 为溶剂， 生成 dioxide titanium
  参考文献：
  名称：

  六核氧钛（IV）团簇的晶体结构和光谱表征：[Ti 6 O 6（OSi（CH 3）3）6（OOCR）6 ]（R = Bu t，CH 2 Bu t，C（CH 3）2等等）

  摘要：

  具有通式[Ti 6 O 6（OSi（CH 3）3）6（OOCR）6 ]的六核含氧钛（IV）硅氧烷羧酸盐配合物（R = Bu t（1），CH 2 Bu t（2），C （CH 3）2 Et（3））是通过Ti（OSiMe 3）4与适当的有机酸反应以定量收率合成的。晶体结构测定表明，1 – 3的分子由[Ti 6-（μ3 -O）6 ]核心由六个syn – syn羧基桥和六个末端氧化硅配体稳定。每个金属原子被六个氧原子包围，并覆盖扭曲的八面体的三角形面。光谱表征的（IR，NMR）1 - 3揭示了羧酸基团相互作用的显著非等价，来自的的Ti-μ-OOC键的不对称性产生的顺式-顺式桥。通过TGA / DTA分析确定所研究化合物的热稳定性。

  DOI：

  10.1016/j.poly.2007.10.018
• 作为产物：
  描述：

  tetrakis(trimethylsiloxy)titanium 、 三甲基乙酸 以 甲苯 为溶剂， 以61.3%的产率得到[Ti6O6(OSi(CH3)3)6(OOCBu(t))6]
  参考文献：
  名称：

  六核氧钛（IV）团簇的晶体结构和光谱表征：[Ti 6 O 6（OSi（CH 3）3）6（OOCR）6 ]（R = Bu t，CH 2 Bu t，C（CH 3）2等等）

  摘要：

  具有通式[Ti 6 O 6（OSi（CH 3）3）6（OOCR）6 ]的六核含氧钛（IV）硅氧烷羧酸盐配合物（R = Bu t（1），CH 2 Bu t（2），C （CH 3）2 Et（3））是通过Ti（OSiMe 3）4与适当的有机酸反应以定量收率合成的。晶体结构测定表明，1 – 3的分子由[Ti 6-（μ3 -O）6 ]核心由六个syn – syn羧基桥和六个末端氧化硅配体稳定。每个金属原子被六个氧原子包围，并覆盖扭曲的八面体的三角形面。光谱表征的（IR，NMR）1 - 3揭示了羧酸基团相互作用的显著非等价，来自的的Ti-μ-OOC键的不对称性产生的顺式-顺式桥。通过TGA / DTA分析确定所研究化合物的热稳定性。

  DOI：

  10.1016/j.poly.2007.10.018

文献信息

• Synthesis of titanium dioxide nanocrystalline layers using hexaprismatic shaped μ-oxo Ti(IV) alkoxo carboxylates as precursors
  作者：P. Piszczek、M. Richert、A. Radtke、T. Muzioł、A. Wojtczak

  DOI：10.1016/j.poly.2009.08.033

  日期：2009.11

  The reaction between Ti(OR)(4) (R = Bu-ii, Bu-i, SiMe3) and 2,2-dimethylpropionic acid lead to the formation of hexanuclear mu-oxo titanium(IV) alkoxo carboxylato complexes of the general formula [Ti6O6(OR)(6)((OOCBu)-Bu-t)(6)]. Thermal decomposition pathways of these compounds and their potential application in the preparation of TiO2 nanolayers using chemical vapor deposition (CVD) methods have been discussed. The type of the alkoxide ligands causes differences in the thermolysis pathway, and the type of the volatile decomposition products. Among the examined complexes only [Ti6O6(OR)(6)((OOCBu)-Bu-t)(6)] (R = Bu-i, SiMe3) show promising properties for their application as precursors in CVD methods. The TiO2 films were grown in a wide range of substrate temperatures (653-873 degrees K), under the total reactor pressure 2.0-3.0 mbar. The crystallinity and the composition of layers were analyzed by X-ray diffraction (XRD). It was found that the formation of TiO2 amorphous, anatase or rutile films depends on the deposition temperature and gas phase composition. (C) 2009 Elsevier Ltd. All rights reserved.