bis(ethylcyclopentadienyl)niobium dichloride | 615284-22-5

• 英文名称: bis(ethylcyclopentadienyl)niobium dichloride
• CAS: 615284-22-5
• 化学式: C₁₄H₁₈Cl₂Nb
• 分子量: 350.109
• InChiKey: QGPHCEODVYNHJD-UHFFFAOYSA-L

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  None
• 重原子数：
  None
• 可旋转键数：
  None
• 环数：
  None
• sp3杂化的碳原子比例：
  None
• 拓扑面积：
  None
• 氢给体数：
  None
• 氢受体数：
  None

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  bis(ethylcyclopentadienyl)niobium dichloride 、 甲基锂 、 N,N'-二异丙基碳二亚胺 以 四氢呋喃 为溶剂， 反应 5.0h， 以36%的产率得到bis-ethylcyclopentadienyl(diisopropylacetamidinato)niobium
  参考文献：
  名称：

  METHODS OF FORMING THIN FILM AND FABRICATING INTEGRATED CIRCUIT DEVICE USING NIOBIUM COMPOUND

  摘要：

  本文揭示了一种形成薄膜的方法。该方法包括利用铌前驱物组合物和反应物形成含铌薄膜，其中铌前驱物组合物包括由式（1）表示的铌化合物：Nb(R5Cp)2(L) 其中每个R独立地为H、C1至C6烷基基团或R13Si，每个R1独立地为H或C1至C6烷基基团，Cp为环戊二烯基团，L从甲酰胺基（NR、R′-fmd）、胺基（NR、R′、R″-amd）和胍基（NR、R′、NR″、R′″-gnd）中选择。

  公开号：

  US20170152277A1

文献信息

• NIOBIUM-NITRIDE FILM FORMING COMPOSITIONS AND VAPOR DEPOSITION OF NIOBIUM-NITRIDE FILMS
  申请人：L'Air Liquide, Société Anonyme pour I'Etude et I'Exploitation des Procédés Georges Claude

  公开号：US20170152144A1

  公开（公告）日：2017-06-01

  Disclosed are Niobium Nitride film forming compositions, methods of synthesizing the same, and methods of forming Niobium Nitride films on one or more substrates via vapor deposition processes using the Niobium Nitride film forming precursors.

  揭示了铌氮化物薄膜形成组合物、合成方法以及利用铌氮化物薄膜形成前体通过蒸发沉积工艺在一个或多个基板上形成铌氮化物薄膜的方法。