[EtZnOⁱPr]₄ | 168836-09-7

• 英文名称: [EtZnOⁱPr]₄
• 英文别名: ethylzinc isopropoxide
• CAS: 168836-09-7
• 化学式: C₂₀H₄₈O₄Zn₄
• 分子量: 614.159
• InChiKey: CMHTZUFSTLEYNL-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  None
• 重原子数：
  None
• 可旋转键数：
  None
• 环数：
  None
• sp3杂化的碳原子比例：
  None
• 拓扑面积：
  None
• 氢给体数：
  None
• 氢受体数：
  None

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  [EtZnOⁱPr]₄ 生成 zinc(II) oxide
  参考文献：
  名称：

  从预组织且无卤素的前驱体通过气溶胶辅助途径制备低E透明导电掺杂镓的氧化锌涂层

  摘要：

  通过使用玻璃窗可实现低排放窗口的热控制，玻璃窗在可见光中同时具有光学透明性，而在近红外（IR）中具有反射性。这种现象是具有宽光学带隙的涂层的特征，该涂层具有足够高的电荷载流子浓度以使材料与IR区域中的电磁辐射相互作用。传统的低辐射涂层由氧化物和薄的Ag薄膜或氟化SnO 2涂层的夹层结构组成，而基于ZnO的玻璃提供了具有竞争性光电特性的环境稳定且经济的替代方案。在这项工作中，镓掺杂的氧化锌（GZO）涂层的低辐射涂层性能超过了工业标准（T可见> 82％；R 2500 nm > 90％; λ （等离子体） = 1290 nm; ρ = 4.7×10 -4 Ω厘米; R sh = 9.4Ω·□ -1）通过可持续的，环境友好的无卤沉积途径从[Ga（acac）3 ]和预组织的氧化锌前体[EtZnO i Pr] 4（1）沉积。单罐气溶胶辅助化学气相沉积。GZO膜具有高度（002）纹理，光滑且致密，无需外

  DOI：

  10.1039/d0sc00502a
• 作为产物：
  描述：

  diethylzinc 、 异丙醇 以 正己烷 、 甲苯 为溶剂， 以89%的产率得到[EtZnOⁱPr]₄
  参考文献：
  名称：

  从预组织且无卤素的前驱体通过气溶胶辅助途径制备低E透明导电掺杂镓的氧化锌涂层

  摘要：

  通过使用玻璃窗可实现低排放窗口的热控制，玻璃窗在可见光中同时具有光学透明性，而在近红外（IR）中具有反射性。这种现象是具有宽光学带隙的涂层的特征，该涂层具有足够高的电荷载流子浓度以使材料与IR区域中的电磁辐射相互作用。传统的低辐射涂层由氧化物和薄的Ag薄膜或氟化SnO 2涂层的夹层结构组成，而基于ZnO的玻璃提供了具有竞争性光电特性的环境稳定且经济的替代方案。在这项工作中，镓掺杂的氧化锌（GZO）涂层的低辐射涂层性能超过了工业标准（T可见> 82％；R 2500 nm > 90％; λ （等离子体） = 1290 nm; ρ = 4.7×10 -4 Ω厘米; R sh = 9.4Ω·□ -1）通过可持续的，环境友好的无卤沉积途径从[Ga（acac）3 ]和预组织的氧化锌前体[EtZnO i Pr] 4（1）沉积。单罐气溶胶辅助化学气相沉积。GZO膜具有高度（002）纹理，光滑且致密，无需外

  DOI：

  10.1039/d0sc00502a

文献信息

• Field-effect transistor performance of zinc oxide thin films derived from molecular based alkoxyalkyl zinc compounds
  作者：Rudolf C. Hoffmann、Stefan Dilfer、Alexander Issanin、Jörg J. Schneider

  DOI：10.1002/pssa.201026694

  日期：2011.7

  Solution processed zinc oxide thin films are derived from different organometallic alkoxyalkyl zinc compounds [Zn(OR 1 )R 2 ] 4 and their performance in field-effect transistors (FETs) has been studied systematically. The influence of various residues R 1 or R 2 on the decomposition behaviour of the organometallic precursors and the resulting film morphology is discussed. The performance of the FETs could

  溶液处理的氧化锌薄膜来源于不同的有机金属烷氧基烷基锌化合物[Zn(OR 1 )R 2 ] 4 ，并且已经系统地研究了它们在场效应晶体管(FET)中的性能。讨论了各种残基R 1 或R 2 对有机金属前体分解行为和所得薄膜形貌的影响。FET 的性能可以通过使用氢等离子体进行后处理来提高，从而提高电子载流子迁移率以及稳定的开/关比。