Rational In Silico Design of an Organic Semiconductor with Improved Electron Mobility
作者:Pascal Friederich、Verónica Gómez、Christian Sprau、Velimir Meded、Timo Strunk、Michael Jenne、Andrea Magri、Franz Symalla、Alexander Colsmann、Mario Ruben、Wolfgang Wenzel
DOI:10.1002/adma.201703505
日期:2017.11
charge‐carrier mobility are impeded by the complex interplay of the molecular and electronic structure of the material with its morphology. Here, the viability of a multiscale simulation approach to rationally design materials with improved electron mobility is demonstrated. Starting from one of the most widely used electron conducting materials (Alq3), novel organic semiconductors with tailored electronic
有机半导体具有广泛的应用,例如在有机发光二极管,有机太阳能电池和有机场效应晶体管中。与结晶无机半导体相比,它们最显着的缺点之一是其低的电荷载流子迁移率,这主要表现在诸如光敏层厚度有限之类的主要器件约束中。材料的分子和电子结构与其形态之间复杂的相互作用阻碍了尝试提高载流子迁移率的尝试和错误。在这里,展示了一种多尺度模拟方法的可行性,该方法可以合理地设计具有改善的电子迁移率的材料。从最广泛使用的电子导电材料之一(Alq 3),设计了具有定制电子性能的新型有机半导体,可以预测并通过实验确认将电子迁移率提高三个数量级。