Trifluoro(sulfanyl)silane | 95665-02-4

• 英文名称: Trifluoro(sulfanyl)silane
• CAS: 95665-02-4
• 化学式: F₃HSSi
• 分子量: 118.155
• InChiKey: AOXATJBVGGXAIM-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 沸点：
  42.8 °C
• 密度：
  1.248±0.06 g/cm3(Predicted)

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  1.26
• 重原子数：
  5
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  1
• 氢给体数：
  1
• 氢受体数：
  4

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  三氟-硅烷 以61%的产率得到
  参考文献：
  名称：

  HORN, H. -G.;HEMEKE, M., CHEM.-ZTG, 1985, 109, N 1, 1-3

  摘要：

  DOI：

文献信息

• F3SiSH and (F3Si)2S: Conflicting Observations Resolved by Unambiguous Syntheses
  作者：Helmut Beckers、Hans Bürger

  DOI：10.1002/1521-3749(200106)627:6<1217::aid-zaac1217>3.0.co;2-b

  日期：2001.6

  (F3SiS)2SiF2. Diese Fluorsilylsulfane haben eine bemerkenswert unterschiedliche thermische Stabilitat. Wahrend sich (F3SiS)2SiF2 bereits bei Raumtemperatur zersetzt, ist das bei dieser Temperatur stabile (F3Si)2S eine vielseitige Ausgangsverbindung zur Synthese von F3Si-Derivaten. Das Silylsulfan F3SiSH konnte neben F3SiBr durch selektive Spaltung einer SiS-Bindung von flussigem (F3Si)2S mit HBr in reiner

  液态 I 与红色 HgS 之间的反应主要产生二甲硅烷基硫烷 (F3Si)2S，以及少量迄今未知的 ( S)2SiF2。这些氟甲硅烷基硫烷具有不同的热稳定性。( )2S 是 衍生物的通用前体，在环境温度下它是稳定的，而 ( S)2SiF2 分解迅速。 SH 与 Br 一起是通过在液相中用 HBr 选择性裂解 ( )2S 中的一个 Si-S 键而获得的，并且首次得到明确表征。与之前的报道相反，当 SiF4 在石英管中以 1298 K 温度通过 SiS2 时，会形成 ( )2O 而不是 (F2SiS)2。( )2S、 SH 及其氘代衍生物 SD 的拉曼光谱和红外光谱已被测量并分配给振动基础。已记录多核核磁共振谱。 SH 和 ( )2S： Klarung widespruchlicher Beobachtungen
• Difluorosilanethione F2Si=S by Flash Vacuum Thermolysis of (F3Si)2S and by Reaction of SiS with F2 – Matrix Studies and Ab initio Calculations
  作者：Helmut Beckers、Jürgen Breidung、Hans Bürger、Ralf Köppe、Carsten Kötting、Wolfram Sander、Hansgeorg Schnöckel、Walter Thiel

  DOI：10.1002/(sici)1099-0682(199911)1999:11<2013::aid-ejic2013>3.0.co;2-k

  日期：1999.11

  in an Ar matrix. Furthermore, 1 has been obtained by co-deposition of SiS and F2/Ar and by pyrolysis of a matrix-isolated SiS2–XeF2 complex under cryogenic conditions. All six vibrational fundamentals of 1 have been observed in the matrix IR spectrum. Ab initio calculations at the MP2 and CCSD(T) levels using large basis sets have been performed. These calculations have guided the detection of 1 and

  二氟硅烷硫酮 F2Si=S (1) 已通过 (F3Si)2S 在 ≥ 500 °C 下的快速真空热解合成并被困在 Ar 基质中。此外，通过 SiS 和 F2/Ar 的共沉积以及在低温条件下热解基质分离的 SiS2-XeF2 复合物，已经获得了 1。在矩阵红外光谱中观察到 1 的所有六个振动基础。已经使用大型基组在 MP2 和 CCSD(T) 级别进行了从头算计算。这些计算指导了 1 的检测和振动分配。具有 C2v 对称性的 1 结构的最佳估计是：r(Si=S) 191.1(1) pm, r(SiF) 156.1(1) pm, ki(FSiF) 103.3(2)°。