cis-[SnCl4(OC(H)OC2H5)2] | 23004-07-1

• 英文名称: cis-[SnCl4(OC(H)OC2H5)2]
• CAS: 23004-07-1；436097-00-6
• 化学式: C₆H₁₂Cl₄O₄Sn
• 分子量: 408.681
• InChiKey: RCABQAMXCBYEGF-UHFFFAOYSA-J

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  None
• 重原子数：
  None
• 可旋转键数：
  None
• 环数：
  None
• sp3杂化的碳原子比例：
  None
• 拓扑面积：
  None
• 氢给体数：
  None
• 氢受体数：
  None

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  cis-[SnCl4(OC(H)OC2H5)2] 以 gaseous matrix 为溶剂， 生成 tin(IV) oxide
  参考文献：
  名称：

  顺式[SnCl4{OC(H)OC2H5}2]常压化学气相沉积法制备的锡(IV)氧化物薄膜的表征

  摘要：

  开发了一种新的单源前驱体 [SnCl4{OC(H)OC2H5}2]，它是通过用甲酸乙酯（1:2 的比例）处理四氯化锡制备的，用于在玻璃基板上沉积氧化锡薄膜。化合物 [SnCl4{OC(H)OC2H5}2] 具有高度挥发性，在常压化学气相沉积 (APCVD) 反应器中可提供非常高的生长速率（在 560°C 时高达 100A s-1）。更重要的是，该化合物在低于 320 °C 时不会分解成氧化锡，从而最大限度地减少了正在生长的氧化锡膜上方蒸汽中颗粒的形成。为了制备高导电的掺氟氧化锡 (SnO2:F) 薄膜，使用三氟乙酸 2,2,2-三氟乙酯作为氟化物源。高质量 SnO2:F 薄膜在 560 °C 下沉积，流速为 2 mL 氟化物试剂 hr-1；典型的薄膜特性是电阻率为 5.9 X 10−4 Ω cm，霍尔迁移率为 27.3 cm2 V-1 s-1，载流子浓度为 3.9 X 1020 cm-3，透射率为

  DOI：

  10.1002/zaac.200800394
• 作为产物：
  描述：

  四氯化锡 、 甲酸乙酯 以 正己烷 为溶剂， 以70%的产率得到cis-[SnCl4(OC(H)OC2H5)2]
  参考文献：
  名称：

  顺式[SnCl4{OC(H)OC2H5}2]常压化学气相沉积法制备的锡(IV)氧化物薄膜的表征

  摘要：

  开发了一种新的单源前驱体 [SnCl4{OC(H)OC2H5}2]，它是通过用甲酸乙酯（1:2 的比例）处理四氯化锡制备的，用于在玻璃基板上沉积氧化锡薄膜。化合物 [SnCl4{OC(H)OC2H5}2] 具有高度挥发性，在常压化学气相沉积 (APCVD) 反应器中可提供非常高的生长速率（在 560°C 时高达 100A s-1）。更重要的是，该化合物在低于 320 °C 时不会分解成氧化锡，从而最大限度地减少了正在生长的氧化锡膜上方蒸汽中颗粒的形成。为了制备高导电的掺氟氧化锡 (SnO2:F) 薄膜，使用三氟乙酸 2,2,2-三氟乙酯作为氟化物源。高质量 SnO2:F 薄膜在 560 °C 下沉积，流速为 2 mL 氟化物试剂 hr-1；典型的薄膜特性是电阻率为 5.9 X 10−4 Ω cm，霍尔迁移率为 27.3 cm2 V-1 s-1，载流子浓度为 3.9 X 1020 cm-3，透射率为

  DOI：

  10.1002/zaac.200800394