制备了具有两个轴向连接的吗啉(MP)单元的
酞菁硅(SiPc),并通过激光闪光光解,稳态和时间分辨荧光方法研究了其光物理性质。由于有效的分子内光诱导电子从吗啉供体到SiPc部分的分子内光致电子转移(PET),SiPc部分的荧光效率和寿命均被显着淬灭。通过瞬态吸收光谱观察到的所产生的电荷分离状态(CSS)SiPc •– –MP •+的寿命为4.8 ns。超分子中SiPc单元的三重态量子产率出乎意料的高,而微秒级的主要光谱信号是三重态-三重态(T 1 -T n)吸收。如此高的三重态产率是由于CSS的电荷
重组,从而以32%的效率生成T 1:SiPc •– –MP •+ → 3 SiPc–MP。T 1形成过程有效发生的原因是CSS SiPc •– –MP •+具有比三重态3 SiPc–MP(1.0 eV)更高的能量(1.65 eV)。还观察到CSS的发射:SiPc •– –MP •+ →SiPc-MP