合成、表征并预筛选了Mo(S 2 CR) 4 (R = Me、Et、i Pr、Ph)类型的四(二
硫代羧基)
钼 ( IV ) 配合物,作为气溶胶辅助
化学气相沉积 (
AACVD) 的前体MoS 2薄膜。通过 TGA 和 GC-MS 测定的复合物的热行为适用于
AACVD,但对于传统的 CVD 鼓泡系统来说,复合物的挥发性不够。MoS 2薄膜是通过
AACVD 在500 °C 下从Mo(S 2 CMe) 4的
甲苯溶液中生长的。通过对应于沉积膜中的2H-MoS 2结构的GIXRD衍射图对膜进行表征。XPS和EDS进一步证实了2H-MoS 2中的Mo-S键合。通过FE-
SEM评估薄膜形态、垂直取向结构和厚度(2.54μm)。观察到晶体2H-MoS 2的拉曼E 1 2g和A 1g振动模式。这些结果证明了二
硫代羧基
配体在
金属
硫化物化学气相沉积中的用途。