对用于 In(OH,O) x S y 薄膜的化学哈希沉积 (CBD) 的溶液进行了研究。为了确定沉积过程中的中间步骤,首先省略了硫源。光学光吸收测量和透射电子显微镜显示,主要是游离的铟 (III)。多核铟羟基络合物和已经形成的 In(OH) 3 胶体参与层的成核和生长 只有在将硫源硫代乙酰胺添加到溶液中后才能观察到沉淀和连贯的薄膜生长,导致形成In(OH,O) x S y 。使用弹性反冲检测分析来分析这些 CBD 层的组成。这允许观察氢含量并因此能够判断氢氧化物掺入层中的可能性。最后。提供了形成 In(OH,O) x S y 的初步反应方案。