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hexaaqua indium(III) complex | 33971-63-0

中文名称
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中文别名
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英文名称
hexaaqua indium(III) complex
英文别名
hexaaqua In(3+)
hexaaqua indium(III) complex化学式
CAS
33971-63-0
化学式
H12InO6
mdl
——
分子量
222.912
InChiKey
ZXUZPKJXZNKTNQ-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    None
  • 重原子数:
    None
  • 可旋转键数:
    None
  • 环数:
    None
  • sp3杂化的碳原子比例:
    None
  • 拓扑面积:
    None
  • 氢给体数:
    None
  • 氢受体数:
    None

反应信息

  • 作为产物:
    描述:
    氯化铟 为溶剂, 以5%的产率得到hexaaqua indium(III) complex
    参考文献:
    名称:
    氧羟基硫化铟薄膜的化学浴沉积:浴对薄膜成分的影响
    摘要:
    对用于 In(OH,O) x S y 薄膜的化学哈希沉积 (CBD) 的溶液进行了研究。为了确定沉积过程中的中间步骤,首先省略了硫源。光学光吸收测量和透射电子显微镜显示,主要是游离的铟 (III)。多核铟羟基络合物和已经形成的 In(OH) 3 胶体参与层的成核和生长 只有在将硫源硫代乙酰胺添加到溶液中后才能观察到沉淀和连贯的薄膜生长,导致形成In(OH,O) x S y 。使用弹性反冲检测分析来分析这些 CBD 层的组成。这允许观察氢含量并因此能够判断氢氧化物掺入层中的可能性。最后。提供了形成 In(OH,O) x S y 的初步反应方案。
    DOI:
    10.1149/1.1419183
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