三(丙二酸二乙酯)镓(III) | 100730-29-8

• 中文名称: 三(丙二酸二乙酯)镓(III)
• 英文名称: tris(diethylmalonate)gallium(III)
• CAS: 100730-29-8
• 化学式: C₂₁H₃₃GaO₁₂
• 分子量: 547.209
• InChiKey: CDDLIRYMKSSQSG-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  None
• 重原子数：
  None
• 可旋转键数：
  None
• 环数：
  None
• sp3杂化的碳原子比例：
  None
• 拓扑面积：
  None
• 氢给体数：
  None
• 氢受体数：
  None

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  三(丙二酸二乙酯)镓(III) 、 氧气 以 neat (no solvent) 为溶剂， 生成 gallium(III) oxide
  参考文献：
  名称：

  以丙二酸二酯阴离子为分子前体的新型镓配合物用于 Ga2O3 薄膜的 MOCVD

  摘要：

  五种不同的均质镓配合物与丙二酸二酯阴离子 [Ga(ROCOCHOCOR)3] [R = Me (1), Et (2), iPr (3), tBu (4) 和 SiMe3 (5)] 已被合成并表征为1H 和 13C NMR、IR 光谱、电子电离质谱 (EI-MS) 和单晶 X 射线衍射。通过热重研究评估所得化合物的热性能，以评估它们作为 Ga2O3 薄膜的金属有机化学气相沉积 (MOCVD) 前体的适用性。鉴于该前体的有前途的特征，从化合物 2 开始对 Ga2O3 薄膜进行 MOCVD。沉积后的层是非晶态的，在 1000 °C 异位退火后可以转变为单斜晶 β-Ga2O3 相。通过扫描电子显微镜（SEM）研究薄膜形貌，并通过能量色散X射线光谱（EDXS）和X射线光电子能谱（XPS）研究其组成。获得了几乎化学计量的 Ga2O3 薄膜，碳含量低。（© Wiley-VCH Verlag GmbH &

  DOI：

  10.1002/ejic.200801062
• 作为产物：
  描述：

  氯化镓 、 lithio diethyl malonate 以 乙醚 、 正己烷 为溶剂， 以74%的产率得到三(丙二酸二乙酯)镓(III)
  参考文献：
  名称：

  以丙二酸二酯阴离子为分子前体的新型镓配合物用于 Ga2O3 薄膜的 MOCVD

  摘要：

  五种不同的均质镓配合物与丙二酸二酯阴离子 [Ga(ROCOCHOCOR)3] [R = Me (1), Et (2), iPr (3), tBu (4) 和 SiMe3 (5)] 已被合成并表征为1H 和 13C NMR、IR 光谱、电子电离质谱 (EI-MS) 和单晶 X 射线衍射。通过热重研究评估所得化合物的热性能，以评估它们作为 Ga2O3 薄膜的金属有机化学气相沉积 (MOCVD) 前体的适用性。鉴于该前体的有前途的特征，从化合物 2 开始对 Ga2O3 薄膜进行 MOCVD。沉积后的层是非晶态的，在 1000 °C 异位退火后可以转变为单斜晶 β-Ga2O3 相。通过扫描电子显微镜（SEM）研究薄膜形貌，并通过能量色散X射线光谱（EDXS）和X射线光电子能谱（XPS）研究其组成。获得了几乎化学计量的 Ga2O3 薄膜，碳含量低。（© Wiley-VCH Verlag GmbH &

  DOI：

  10.1002/ejic.200801062