摘要:
描述了O(SiMe 3)2(1)和S(SiMe 3)2(2)与TiCl 4和SnCl 4的反应。对于(1),只有在TiCl 4的情况下,SiH裂解和SiMe 3 Cl的释放(如1 H nmr光谱法所监测)才产生[Me 3 SiO-(Cl)TiO] n。三氯甲基锡烷是与SnCl 4的主要反应产物。在聚合物(Cl)溶剂化后,通过式(2),TiCl 4得到单体络合物TiCl 2 S·2L(L = MeCN)和TiCl 2 S·3L [L = MeCN或四氢呋喃(thf)]。最初形成2 TiS) n。根据光谱数据提出了六坐标公式。由SnCl 4形成的相应的(Cl 2 SnS) n在强施主的情况下不会产生相似的晶格退化。低级卤化物MCl 3 ·3thf(M = Ti,V或Cl)仅与(2)反应,得到SiMe 3 Cl和聚合物配合物MCl(S)· n thf(M = Ti或Cr)和VClS 4。