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iodo(diphenyltriazenide)(tris(trimethylsilyl)methyl)indium(III)
iodo(diphenyltriazenide)(tris(trimethylsilyl)methyl)indium(III) | 872173-75-6
中文名称
——
中文别名
——
英文名称
iodo(diphenyltriazenide)(tris(trimethylsilyl)methyl)indium(III)
英文别名
——
CAS
872173-75-6
化学式
C
22
H
37
IInN
3
Si
3
mdl
——
分子量
669.537
InChiKey
OTDSWZISHPTDIS-UHFFFAOYSA-M
BEILSTEIN
——
EINECS
——
物化性质
计算性质
ADMET
安全信息
SDS
制备方法与用途
上下游信息
反应信息
文献信息
表征谱图
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相关功能分类
相关结构分类
反应信息
作为产物:
描述:
lithium N,N'-diphenyltriazene 、 以
正己烷
为溶剂, 生成
iodo(diphenyltriazenide)(tris(trimethylsilyl)methyl)indium(III)
参考文献:
名称:
有机元素镓和亚卤化铟的反应性研究 - 二镓和乙酰丙酮二铟的合成
摘要:
有机元素低卤化物 R2Ga2I2 (1) 和 [R2In2Cl2]2 (2) [R = C(SiMe3)3] 与乙酰丙酮银 Ag(acac) (acac = [OC(CH3)]2CH) 和乙酰丙酮锂 Li(acac) 反应分别生成二(乙酰丙酮)二元化合物 R2E2(acac)2(3:E = Ga;4:E = In)。两种产品都具有 E-E 单键,E-E 距离相对较长,分别为 251.1 (Ga-Ga) 和 278.0 pm (In-In)。镓或铟原子通过烷基和二齿乙酰丙酮基进行末端配位。低卤化物 1 和 [R2In2Br2]2 与二苯基三氮杂锂 LiN3(C6H5)2 的类似反应没有导致形成类似于 3 和 4 的双元素化合物,但会导致 E-E 键断裂并形成元素 (III) R–E(X)[N3(C6H5)2] 类型的化合物(E = Ga,In;X = Br,I)。(© Wiley-VCH Verlag
DOI:
10.1002/ejic.200400554
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