[{Me₂In(μ-triethylsilanolate)}₂] | 1441368-53-1

• 英文名称: [{Me₂In(μ-triethylsilanolate)}₂]
• 英文别名: (Me₂InOSiEt₃)₂
• CAS: 1441368-53-1
• 化学式: C₁₆H₄₂In₂O₂Si₂
• 分子量: 552.319
• InChiKey: IEAHZYSPDPWVJV-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  None
• 重原子数：
  None
• 可旋转键数：
  None
• 环数：
  None
• sp3杂化的碳原子比例：
  None
• 拓扑面积：
  None
• 氢给体数：
  None
• 氢受体数：
  None

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  [{Me₂In(μ-triethylsilanolate)}₂] 、 氧气 生成 indium(III) oxide
  参考文献：
  名称：

  从分子镓和铟氧化硅前驱物到用于薄膜场效应晶体管的非晶半导体透明氧化物层

  摘要：

  一系列新型铟和镓硅氧化物二聚体[{Me 2 In（OSiEt 3）} 2 ]（1），[{Me 2 Ga（OSiEt 3）} 2 ]（2）的合成，结构表征和热降解），[{我2在（OSI（O吨丁基）3）} 2 ]（3），[{我2镓（OSI（O吨丁基）3）} 2 ]（4），和在[OSi的（O t Bu）3）]（5）被报告。化合物 1– InMe 3或GaMe 3分别与相应的硅烷醇Et 3 SiOH和（t BuO）3 SiOH进行容易的Brönsted反应，可以容易地获得– 4。化合物 5可以通过用过量的（t BuO）3 SiOH对[In {N（SiMe 3）2 } 3 ]进行类似的蛋白水解而获得。的适用性1 - 5探索了用作低温电子合成非晶态铟和镓氧化物的分子前体。因此，通过热重/差热重分析（TGA / DTG）研究了它们的热降解。化合物 1 - 4均在干燥的合成空气（20％氧气分解2，80％N

  DOI：

  10.1002/cplu.201200086
• 作为产物：
  描述：

  三乙基硅烷醇 、 三甲基铟 以 苯 为溶剂， 生成 [{Me₂In(μ-triethylsilanolate)}₂]
  参考文献：
  名称：

  Silylated gallium and indium chalcogenide ring systems as potential precursors to ME (E=O, S) materials

  摘要：

  摘要：R3M（M=Ga，In）与HESiR′3（E=O，S；R′3=Ph3，iPr3，Et3，tBuMe2）的反应在室温下高产率地形成(Me2GaOSiPh3)2(1)；(Me2GaOSitBuMe2)2(2)；(Me2GaOSiEt3)2(3)；(Me2InOSiPh3)2(4)；(Me2InOSitBuMe2)2(5)；(Me2InOSiEt3)2(6)；(Me2GaSSiPh3)2(7)；(Et2GaSSiPh3)2(8)；(Me2GaSSiiPr3)2(9)；(Et2GaSSiiPr3)2(10)；(Me2InSSiPh3)3(11)；(Me2InSSiiPr3)n(12)。这些化合物经过多核NMR表征，并在大多数情况下通过X射线晶体学进行了表征。已确定了(1)、(4)、(7)和(8)的分子结构。化合物(3)、(6)和(10)在室温下为液体。在固态中，(1)、(4)、(7)和(9)为二聚体，其二聚体的中心核由M2E2四元环组成。对(7)的VT-NMR研究显示在溶液中四元环和六元环之间有易于重新分布。通过TGA检测了(1)–(12)的热分解，温度范围为200至350°C。对(1)和(2)的大量热解导致形成Ga2O3；(4)和(5)形成In金属；(7)–(10)形成GaS；(11)–(12)形成InS粉末。

  DOI：

  10.2478/s11532-013-0255-y