双（甲基环戊二烯基）（甲基）（甲氧基）锆（IV） | 916597-01-8

• 中文名称: 双（甲基环戊二烯基）（甲基）（甲氧基）锆（IV）
• CAS: 916597-01-8
• 化学式: C₁₄H₂₀OZr
• 分子量: 295.536
• InChiKey: STTSSCQFHIBLJV-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  None
• 重原子数：
  None
• 可旋转键数：
  None
• 环数：
  None
• sp3杂化的碳原子比例：
  None
• 拓扑面积：
  None
• 氢给体数：
  None
• 氢受体数：
  None

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  水 、 tris(isopropylcyclopentadienyl)lanthanum 、 双（甲基环戊二烯基）（甲基）（甲氧基）锆（IV） 以 甲苯 为溶剂， 生成
  参考文献：
  名称：

  通过液体注入原子层沉积沉积镧锆氧化物高κ薄膜

  摘要：

  使用 [(PriCp)3La] 和 [(MeCp)2ZrMe(OMe)] 前体通过液体注入原子层沉积生长了镧锆氧化物薄膜 LaxZr1-xO2-δ (x=0.22,0.35,0.63)。在较低的 La 原子分数 (x=0.22) 下，在 700°C 空气中退火后，薄膜稳定在立方相中。在较高的 La 原子分数 (x>0.35) 下，退火后薄膜保持非晶态。沉积的薄膜显示出良好的介电性能，具有低滞后电压和可忽略的平带电压漂移。相对介电常数 (κ) 范围为 11 至 14，1MVcm-1 处的漏电流密度范围为 2.6×10-6-5.3×10-7Acm-2。

  DOI：

  10.1063/1.2784956

文献信息

• Atomic layer deposition of LaxZr1−xO2−δ (x=0.25) high-k dielectrics for advanced gate stacks
  作者：D. Tsoutsou、L. Lamagna、S. N. Volkos、A. Molle、S. Baldovino、S. Schamm、P. E. Coulon、M. Fanciulli

  DOI：10.1063/1.3075609

  日期：2009.2.2

  Thin LaxZr1−xO2−δ (x=0.25) high permittivity (k) films are grown on Si(100) by atomic layer deposition at 300 °C using (PirCp)3La, (MeCp)2ZrMe(OMe) and O3 species. Their properties are studied by grazing incidence x-ray diffraction, high resolution transmission electron microscopy, electron energy loss spectroscopy, x-ray photoelectron spectroscopy, and electrical measurements on the as-grown films

  使用 (PirCp)3La、(MeCp)2ZrMe(OMe) 和 O3 在 300°C 下通过原子层沉积在 Si(100) 上生长薄 LaxZr1-xO2-δ (x=0.25) 高介电常数 (k) 薄膜。通过掠入射 x 射线衍射、高分辨率透射电子显微镜、电子能量损失谱、x 射线光电子能谱以及对生长薄膜和 600°C 真空退火后的电学测量来研究它们的性质。退火薄膜具有抗吸湿性、约 30 的大 k 值和可接受的漏电流密度。在原始和退火的高 k/Si 界面处也证明了富含低 k 二氧化硅的中间层。