摘要:
近红外 (NIR) 荧光体是众多成像、通信和传感应用的有希望的候选者,但它们通常需要大型共轭支架才能在这个低能量区域实现发射。由于所需的扩展共轭和合成复杂性,调整这些系统的光物理性质以满足所需的应用是极其困难的。在这里,我们报告了通过简单修饰外围配体来轻松调节深层近红外发射双自由基复合物。这些新的发光体是空气、酸和水稳定的发射双自由基的罕见例子。我们应用简单的基于哈米特参数的策略来调整一系列市售三芳基膦的封端配体的电子供给。这种微小的外围修饰显着改变了电子结构,从而改变了基于四硫富瓦烯四硫醇盐 (TTFtt) 的荧光体的电化学、光物理和磁性。由此产生的 ~100 nm 吸收和发射范围跨越常见激光线和理想的电信区域(约 1260–1550 nm)。此外,这些发光体对局部电介质敏感,使它们成为深近红外区域比率成像和/或条形码的有希望的候选者。