V5Al8 薄膜(厚度约 100 nm)通过射频溅射沉积在蓝宝石衬底上,并在 RTP 系统中在 600-1250°C(1 分钟)下用 NH3 氮化。通过ESCA(用于
化学分析的电子能谱)、XRD(X射线衍射)、XRR(X射线反射计)、A
FM(原子力显微镜)和
SEM(扫描电子显微镜)研究沉积和氮化膜。发现在表面形成
氮化铝层并在本体中析出 V(Al)。在 600 °C 至 900 °C 的温度范围内,大量的氧被结合到
氮化铝层中。表面的粗糙度随着温度的升高而增加,并且在 1250°C 时可以观察到 AlN 层的部分分离。Nitridierung von V5Al8-Filmen mit Ammoniak Rapid Thermal Processing (RTP) Etwa 100 nm dicke V5Al8-Filme wurden auf einem Saphirsubstrat durch