Gallium--thulium (3/1) | 51681-99-3

• 英文名称: Gallium--thulium (3/1)
• 英文别名: gallane;thulium
• CAS: 51681-99-3
• 化学式: Ga₃Tm
• 分子量: 378.103
• InChiKey: MBBYQDXTVMCMLN-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -3.55
• 重原子数：
  4
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  0
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  0

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  氢化铥(III) 、 氢化镓 以 neat (no solvent) 为溶剂， 生成 Gallium--thulium (3/1)
  参考文献：
  名称：

  AuCu3型结构内RGa3化合物的晶体电场和磁结构

  摘要：

  摘要 通过粉末中子衍射确定了TmGa 3 和ErGa 3 的反铁磁结构。在TN = 4.26 K 以下，TmGa 3 的结构是多轴的，由两个或三个< 1 2 1 2 0 > 传播矢量描述。在 ErGa 3 中，不公度的磁结构在 TN = 2.8 K 下由 [ 1 2 - τ, 1 2 - τ, 0] 传播矢量描述，τ = 0.020。2 K 时的磁矩分别为：(6.1±0.3) 和 (2.3±0.3)μ B 。通过中子能谱在TmGa 3 中获得了立方晶体电场。晶体电场参数为负（A 4 < r 4 > = (-34±4) K, A 6 < r 6 > = (-17±2) K）。讨论结果与其他磁特性相关，特别是在 TmGa 3 的顺磁相中出现四极有序。

  DOI：

  10.1016/0304-8853(87)90168-5

文献信息

• Stacking of close-packed AB3 layers in RGa3 compounds (R ≡ heavy rare earth)
  作者：S. Cirafici、E. Franceschi

  DOI：10.1016/0022-5088(81)90179-x

  日期：1981.2
• Pluzhnikov; Czopnik; Grechnev, Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics, <hi>1999</hi>, vol. 59, # 12, p. 7893 - 7900
  作者：Pluzhnikov、Czopnik、Grechnev、Savchenko、Suski

  DOI：——

  日期：——