摘要 我们报告了化合物 Gd 5 T 3 (T=Si,Ge,Sn) 的磁特性,这些特性是通过在高达 90 kOe 的外加场和 3 到 300 K 之间的温度范围内的直流磁化测量获得的。三相温度磁化数据表明反
铁磁有序;在顺磁性状态下,所有化合物都遵循居里魏斯定律,具有正顺磁性居里温度。在 5 K 和 90 kOe 下,发现整个系列的磁矩降低,范围从 Gd 5 Si 3 的 4.1 μ B /Gd 原子到 Gd 5 Sn 3 的 2.44 μ B /Gd 原子。最后,对于具有 Si 和 Ge 的化合物,在 DC 磁化测量中观察到自旋随角跃迁,在 5 K 下,Gd 5 Si 3 的 H cr = 48 kOe,Gd 5 Ge 3 的 H cr =68 kOe。