Germane--terbium (4/5) | 12065-50-8

• 英文名称: Germane--terbium (4/5)
• 英文别名: germane;terbium
• CAS: 12065-50-8
• 化学式: Ge₄Tb₅
• 分子量: 1084.99
• InChiKey: MCTWSOFCPRYAKH-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -5.81
• 重原子数：
  9
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  0
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  0

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  氢化铽 、 锗烷 以 neat (no solvent, solid phase) 为溶剂， 生成 Germane--terbium (4/5)
  参考文献：
  名称：

  Tb5(SixGe1−x)4 中的磁热效应

  摘要：

  已经在一系列 R5(SixGe1-x)4 伪二元合金中研究了磁热效应，其中 R=Tb 和 x=0.0、0.5 和 1.0。在 Tb5Si4 和 Tb5Ge4 中，已发现在磁场变化为 50 kOe 的订购温度下，最大磁熵变化分别为 9.8 和 3.7 J/kg K。在 Tb5Ge4 的情况下，我们观察到在尼尔温度以下存在先前未报告的磁转变。Tb5(Si0.5Ge0.5)4 已成功合成，并且在一级顺磁到铁磁转变 TC≅105 K 时实现了 21.8 J/kg K（ΔH=50 kOe）的大熵变。这研究表明，Tb5(SixGe1-x)4 合金是磁制冷的良好候选材料，这些系统中非常令人兴奋的现象有待进一步研究。

  DOI：

  10.1063/1.1399007

文献信息

• Ritter, C.; Morellon, L.; Algarabel, P. A., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics, p. 1 - 10
  作者：Ritter, C.、Morellon, L.、Algarabel, P. A.、Magen, C.、Ibarra, M. R.

  DOI：——

  日期：——
• Phase equilibria in the Tb–Ti–Ge system at 1070 K
  作者：A.V Morozkin、Yu.D Seropegin、I.A Sviridov、V.A Moskalev

  DOI：10.1016/s0925-8388(98)00728-2

  日期：1998.12

  Physico-chemical analysis techniques, including X-ray phase analysis, electron probe X-ray analysis, differential thermal analysis and metallographic analysis were employed in constructing the isothermal section of the Tb-Ti-Ge system at 1070 K. The formation of the following ternary intermetallic compounds were detected in the Tb-Ti-Ge system at 1070 K: TbTiGe thigh-temperature modification of CeFeSi structure type, space group P4/nmm, a = 0.4050(2) nm, c = 0.7652(3) nm: low-temperature modification of La2Sb structure type, space group I4/mmm, a = 0.4053(2) nm, c = 1.5293(3) nm) and Tb22...15Ti34...41Ge44 (Sm5Ge4 structure type, space group Pnma, a = 0.7019(1)...0.6889(5) nm, b = 1.3457(2)...1.332(1) nm, c = 0.7156(1)...0.755(1) nm). The TbGe3.5 compound belongs to the ThGe2 structure type (space group Cmmm, a = 2.0738(4) nm, b = 0.4043(1) nm, c = 0.3914(1) nm). The high-temperature modification of the Th2Ge3 compounds belongs to the ThSi2 structure type (space group I4(1)/amd, a = 0.4061(2) nm, c = 1.372(1) nm). (C) 1998 Elsevier Science S.A. All rights reserved.