Germane--molybdenum (2/1) | 12025-51-3

• 英文名称: Germane--molybdenum (2/1)
• 英文别名: germane;molybdenum
• CAS: 12025-51-3
• 化学式: Ge₂Mo
• 分子量: 241.12
• InChiKey: UKDJVKYQQHXAAN-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -2.91
• 重原子数：
  3
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  0
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  0

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  锗烷 、 钼 以 neat (no solvent, solid phase) 为溶剂， 生成 Germane--molybdenum (2/1)
  参考文献：
  名称：

  Agoshkov, V. M.; Gorbatenkov, V. D.; Popova, S. V., Inorganic Materials, 1981, vol. 17, p. 1523 - 1526

  摘要：

  DOI：

文献信息

• A Surface Chemistry Route to Molybdenum Sulfide and Germanide Films Using the Single-Source Precursor Tetrakis(diethylaminodithiocarbomato)molybdate(IV)
  作者：Ti Ouyang、Kian Ping Loh、Heng Zhang、Jagadese J. Vittal、M. Vetrichelvan、Wei Chen、Xingyu Gao、Andrew Thye Shen Wee

  DOI：10.1021/jp0470647

  日期：2004.11.1

  We report for the first time the direct deposition of crystalline molybdenum sulfide (MoS2) using a single-source precursor based on tetrakis(diethylaminodithiocarbomato)molybdate(IV) (abbreviated as Mo(Et2NCS2)4). The chemistry of this precursor adsorbed on a range of substrates (silicon, germanium, gold-coated germanium, nickel, etc.) has been studied using in situ X-ray photoelectron spectroscopy

  我们首次报道了使用基于四（二乙氨基二硫代碳）钼酸盐（IV）（缩写为 Mo(Et2NCS2)4）的单源前驱体直接沉积结晶硫化钼 (MoS2)。已经使用原位 X 射线光电子能谱研究了吸附在一系列基材（硅、锗、镀金锗、镍等）上的这种前体的化学性质。Mo(Et2NCS2)4 前驱体可在 300 °C 下蒸发；它的蒸气在室温下吸附在大多数表面上，并在 400 °C 时分解形成结晶 MoS2。使用这种方法，第一次可以通过一步热蒸发工艺在镍上生长高质量的基面取向 MoS2。有趣的是，选择与金形成共晶合金的元素基材有利于从 MoS2 薄膜中消除硫。这导致在 Au 和衬底元素的共晶温度下形成 Mo 金属间化合物。四方MoSi2或o的前所未有的低温生长...
• Korovin, N. S.; Kuz'micheva, G. M., Inorganic Materials, <hi>1989</hi>, vol. 25, p. 1417 - 1420
  作者：Korovin, N. S.、Kuz'micheva, G. M.

  DOI：——

  日期：——
• Crystallization of MoGe2 and WGe2 at high pressure and some properties of these phases
  作者：V.M Agoshkov、V.D Gorbatenkov、S.V Popova、L.N Fomicheva

  DOI：10.1016/0022-5088(81)90133-8

  日期：1981.4