| 1243266-26-3

• CAS: 1243266-26-3
• 化学式: C₃₅H₂₈GaN₂O₂S₄
• 分子量: 706.607
• InChiKey: KQAGVLIDJYBRAQ-ZXCPBBSNSA-L

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  None
• 重原子数：
  None
• 可旋转键数：
  None
• 环数：
  None
• sp3杂化的碳原子比例：
  None
• 拓扑面积：
  None
• 氢给体数：
  None
• 氢受体数：
  None

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  生成
  参考文献：
  名称：

  含镓的导电金属聚合物，对Ga2S3半导体纳米粒子的生长具有化学可调的反应性。

  摘要：

  新型镓席夫碱配合物的电聚合导致传导包含配位饱和或不饱和镓金属中心的金属聚合物。取决于金属中心的化学配位，嵌入的金属离子可以充当晶种，以在导电聚合物中直接生长受尺寸控制的硫化镓纳米颗粒，从而产生混合电子材料。

  DOI：

  10.1039/c0cc00578a
• 作为产物：
  描述：

  在 potassium tetrakis(pentafluorophenyl)borate 作用下， 以 二氯甲烷 、 乙腈 为溶剂， 生成
  参考文献：
  名称：

  含镓的导电金属聚合物，对Ga2S3半导体纳米粒子的生长具有化学可调的反应性。

  摘要：

  新型镓席夫碱配合物的电聚合导致传导包含配位饱和或不饱和镓金属中心的金属聚合物。取决于金属中心的化学配位，嵌入的金属离子可以充当晶种，以在导电聚合物中直接生长受尺寸控制的硫化镓纳米颗粒，从而产生混合电子材料。

  DOI：

  10.1039/c0cc00578a