I3Ga[tris-para-methoxyphenylphosphine] | 17769-26-5

• 英文名称: I3Ga[tris-para-methoxyphenylphosphine]
• 英文别名: I₃Ga[tris-para-methoxyphenylphosphine]
• CAS: 17769-26-5
• 化学式: C₂₁H₂₁GaI₃O₃P
• 分子量: 802.806
• InChiKey: BMFUAKJIZSJJKS-UHFFFAOYSA-K

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  None
• 重原子数：
  None
• 可旋转键数：
  None
• 环数：
  None
• sp3杂化的碳原子比例：
  None
• 拓扑面积：
  None
• 氢给体数：
  None
• 氢受体数：
  None

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  gallium(III) iodide 、 三(4-甲氧苯基)膦 以 甲苯 为溶剂， 生成 I3Ga[tris-para-methoxyphenylphosphine]
  参考文献：
  名称：

  固态69 / 71Ga和31P NMR光谱研究三卤化镓与三芳基膦的1：1加合物

  摘要：

  使用固态69/71 Ga和31 P NMR研究了三卤化镓与三芳基膦的几个1：1加合物，X 3 Ga（PR 3）（X = Cl，Br和I； PR 3 =三芳基膦配体）光谱在不同的磁场强度下。确定了69/71 Ga核四极耦合参数以及镓和磷磁屏蔽张量。所述的幅度71个嘎四极耦合常数（Ç Q（71 Ga）的）范围从约0.9至11.0 兆赫。这些复合物的镓磁屏蔽张量的跨度δ11 - δ 33，从大约30到380ppm的范围内; 测定的磷含量范围为10至40 ppm。对于任何给定的膦配体，镓核对X = I的屏蔽作用最强，而对X = Cl的屏蔽性最小，这是以前对于In III-膦配合物观察到的趋势。DFT计算重现了这种实验趋势，归因于卤素配体的自旋轨道效应。一些加合物的C Q（69/71 Ga）的迹象是通过对用魔角旋转（MAS）获得的31 P NMR光谱进行分析确定的。的1 Ĵ（69/71镓，31 P）和Δ

  DOI：

  10.1002/chem.201202954