| 146081-97-2

• CAS: 146081-97-2；1298061-57-0
• 化学式: C₈H₂₄Cl₂Ga₂N₄
• 分子量: 386.657
• InChiKey: CALRSVWPYHSEQC-UHFFFAOYSA-L

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  None
• 重原子数：
  None
• 可旋转键数：
  None
• 环数：
  None
• sp3杂化的碳原子比例：
  None
• 拓扑面积：
  None
• 氢给体数：
  None
• 氢受体数：
  None

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  N,N-二甲基异丙醇胺 、 以 正己烷 为溶剂， 以54%的产率得到
  参考文献：
  名称：

  Synthesis and structures of gallium alkoxides

  摘要：

  通过在室温下将[Ga(NMe2)3]2 (1)与过量的ROH（R = CH2CH2NMe2 (2)、CH(CH3)CH2NMe2 (3)、C(CH3)2CH2OMe (4)、CH2CH2OMe (5)）在甲苯中反应，制备出同质三(烷氧基)镓[Ga(OR)3]2。化合物2-5被分离为无色油状物。在合成2、3和4的过程中，副产物[Ga(OCH2CH2NMe2)2Cl] (6)、[Ga(OCH(CH3)CH2NMe2)2Cl] (7)和[Ga(OC(CH3)2CH2OMe)Cl2]2 (8)也被分别以低产率分离出来。然而，化合物6和7也可以通过[Ga(NMe2)2Cl]与2当量的ROH（6，R = CH2CH2NMe2；7，R = CH(CH3)CH2NMe2）反应直接制备。类似地，化合物8也可以通过[Ga(NMe2)Cl2]与1当量的HOC(CH3)2CH2OMe反应分离出来。单晶X射线晶体学显示，双(烷氧基)��

  DOI：

  10.1039/b801579a

文献信息

• Gallium and Indium β‐Diketonate Complexes: AACVD of [In(thd) ₃ ] and the Attempted Synthesis of Gallium and Indium Bis(β‐diketonates)
  作者：David Pugh、Leanne G. Bloor、Sanjayan Sathasivam、Ivan P. Parkin、Claire J. Carmalt

  DOI：10.1002/ejic.201001235

  日期：2011.4

  bdk = beta-diketonate; X = chloride, hydride, methyl) was attempted such that the solubility could be improved by tuning the ligands surrounding the metal centre. Reaction of stoichiometric amounts of beta-diketones [Hthd and 2,4-pentanedione (acetylacetone, Hacac)] with Lewis base-stabilized adducts of GaH3 resulted only in the isolation of the homoleptic gallium tris(beta-diketonate) compounds [Ga(bdk)(3)]

  [In(thd)(3)]（thd = 2,2,6,6-tetramethylheptane-3,5-dionate）在 CH2Cl2 中的悬浮液在 450 摄氏度的气溶胶辅助化学气相沉积 (AACVD) 中得到薄结晶氧化铟薄膜。通过扫描电子显微镜 (SEM)、掠射角 X 射线衍射 (XRD) 和 X 射线能量色散分析 (EDX) 对薄膜进行分析。[In(thd)(3)] 的溶解度差阻碍了生长更厚薄膜的努力，因此合成 [M(bdk)(2)X] 型杂配化合物 (M = Ga, In; bdk = β-二酮；X = 氯化物、氢化物、甲基），这样可以通过调整金属中心周围的配体来提高溶解度。化学计量的 β-二酮 [Hthd 和 2,4-戊二酮（乙酰丙酮，Hacac)] 与 GaH3 的路易斯碱稳定加合物仅导致分离出均配镓三（β-二酮）化合物 [Ga（bdk）（3）]，而不是预期的杂配镓双（β-二酮）氢化物