硅原子与N-单碰撞条件下反应2 ö以产生对应于
一氧化硅化学发光发射3 Σ + -X 1 Σ +和b 3 Π-X 1个Σ +互组系统和A 1 Π-X 1 Σ +带系统。所述SiN的最显着的特征2 ö反应是在A的SiO产物分子的形成相关联的能量平衡1 Π和b 3个Π状态。甲显著能量差异(=万厘米-= 1.24 eV)被发现在可填充最高能量可访问的激发态量子能级的可利用能量与可观察到发射的最高量子能级之间。建议这种差异可能是由于在快速Si fastN 2 O反应性相遇中振动激发的N 2的形成而引起的。发射从
一氧化硅3 Σ +(A 1 Π)和b 3 Π(A 1 Π,E 1 Σ 0 +)三重态歧结果主要来自强度借用涉及表示单线态。扰动计算表明在混合的B之间的幅值3 Π,A1米Π和E 1 Σ 0 +状态之间在0.5和2%的范围内。根据这些计算,发现分支比(激发三重态)/(激发单重态)远远超过500。