由稀土(RE)元素,合适的稀土
氧化物,
砷和
钯海绵在1223 K的最高退火温度下合成了新的四价
砷化
钯钯氧化物Nd 10 Pd 3 As 8 O 10和Sm 10 Pd 3 As 8 O 10。从X射线单晶衍射仪数据在不同温度下精制了
钕化合物的结构。根据吉尼尔(Guinier)粉末衍射发现化合物是同型的。两种化合物都是同型的,具有Nd 10 Au 3 As 8 O 10并由堆叠的正式聚阳离子[RE 10 O 10 ] 10+和聚阴离子[Pd 3(As 2)4 ] 10-层组成。与众所周知的具有基本离子键的四面体配位稀土
氧化物层相反,
砷化
钯层表现出相当共价的特征,X
PS数据突出了这一点。电阻率测量表明Nd 10 Pd 3 As 8 O 10的半导体性质并且还显示了在大约160 K处的异常,这是由结构相变导致的,通过X射线单晶衍射仪数据得到了证实。相变源自
钯原子的平面外畸变,其在160 K附近显示