| 80188-08-5

• CAS: 80188-08-5
• 化学式: Ge₁₂Li₇
• 分子量: 919.667
• InChiKey: OTTOLFJFVCADPP-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -12.6
• 重原子数：
  12.0
• 可旋转键数：
  0.0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  0.0
• 氢给体数：
  0.0
• 氢受体数：
  0.0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  在 aluminum (III) chloride 、 己基三甲基溴化铵 作用下， 反应 168.0h， 生成 锗烷
  参考文献：
  名称：

  离子液体中层状 Zintl 相氧化的窄间隙半导体锗同素异形体

  摘要：

  亚稳态锗同素异形体 Ge(oP32) 是由 Li7Ge12 在离子液体中的轻度氧化/脱锂合成的多晶粉末和单晶。其晶体结构来自单晶 X 射线衍射 (Pbcm, a = 8.1527(4) Å, b = 11.7572(5) Å, c = 7.7617(4) Å)，具有复杂的 4 键 Ge 共价网络，由[Ge12]7-层的有序拓扑氧化缩合产生。它是一种抗磁性半导体 (Eg = 0.33 eV)，在 363 °C 时会放热且不可逆地转变为 α-Ge。这证明了离子液体在 Zintl 相温和氧化成新的元素和简单化合物的高度结晶变体中作为反应介质的潜力。

  DOI：

  10.1021/jacs.8b03503
• 作为产物：
  描述：

  锗烷 、 lithium 以 neat (no solvent) 为溶剂， 反应 169.0h， 生成
  参考文献：
  名称：

  离子液体中层状 Zintl 相氧化的窄间隙半导体锗同素异形体

  摘要：

  亚稳态锗同素异形体 Ge(oP32) 是由 Li7Ge12 在离子液体中的轻度氧化/脱锂合成的多晶粉末和单晶。其晶体结构来自单晶 X 射线衍射 (Pbcm, a = 8.1527(4) Å, b = 11.7572(5) Å, c = 7.7617(4) Å)，具有复杂的 4 键 Ge 共价网络，由[Ge12]7-层的有序拓扑氧化缩合产生。它是一种抗磁性半导体 (Eg = 0.33 eV)，在 363 °C 时会放热且不可逆地转变为 α-Ge。这证明了离子液体在 Zintl 相温和氧化成新的元素和简单化合物的高度结晶变体中作为反应介质的潜力。

  DOI：

  10.1021/jacs.8b03503

文献信息

• Site-Specific Substitution Preferences in the Solid Solutions Li₁₂Si_7-<i>x</i>Ge<i>_x</i>, Li_12-<i>y</i>Na<i>_y</i>Si₇, Na₇LiSi_8-<i>z</i>Ge<i>_z</i>, and Li₃NaSi_6-<i>v</i>Ge<i>_v</i>
  作者：Lavinia M. Scherf、Nathalie Riphaus、Thomas F. Fässler

  DOI：10.1002/zaac.201600259

  日期：2016.10

  The mixed silicide-germanides Li12Si7–xGex, Na7LiSi8–zGez, and Li3NaSi6–vGev which could serve as potential precursors for Si1–xGex materials were synthesized and characterized by X-ray diffraction methods. The full solid solution series Li12Si7–xGex (0 ≤ x ≤ 7) is easily accessible from the elements and features preferential occupation of the more negatively charged crystallographic tetrel positions

  合成了可作为 Si1-xGex 材料潜在前体的混合硅化物-锗化物 Li12Si7-xGex、Na7LiSi8-zGez 和 Li3NaSi6-vGev，并通过 X 射线衍射方法对其进行表征。全固溶体系列 Li12Si7–xGex (0 ≤ x ≤ 7) 很容易从元素中获得，并且特征是 Ge 优先占据带更多负电荷的晶体结构位置，Ge 是更具电负性的元素。在 Na7LiSi8-zGez 的情况下，1.3 ≤ x ≤ 8 的宽固溶体范围是可用的，但三元硅化物 Na7LiSi8 无法通过测试的合成方法获得。Ge 在 Li3NaSi6-vGev 中的溶解度被高度限制在 v ≈ 0.5 的最大值，而且 Ge 更喜欢形式上更带负电的四角形位置。此外，具有异常大位移参数的 Li12Si7 中的两个晶体 Li 位置可以被 Li12-yNaySi7 中的 Na 部分取代，0 ≤ y ≤ 0.6。这种固溶体中 Li
• Thermochemistry, Morphology, and Optical Characterization of Germanium Allotropes
  作者：Julia V. Zaikina、Elayaraja Muthuswamy、Kristina I. Lilova、Zachary M. Gibbs、Michael Zeilinger、G. Jeffrey Snyder、Thomas F. Fässler、Alexandra Navrotsky、Susan M. Kauzlarich

  DOI：10.1021/cm5010467

  日期：2014.5.27

  A thermochemical study of three germanium allotropes by differential scanning calorimetry (DSC) and oxidative high-temperature drop solution calorimetry with sodium molybdate as the solvent is described. Two allotropes, microcrystalline allo-Ge (m-allo-Ge) and 4H-Ge, have been prepared by topotactic deintercalation of Li7Ge12 with methanol (m-allo-Ge) and subsequent annealing at 250 degrees C (4H-Ge). Transition enthalpies determined by differential scanning calorimetry amount to 4.96(5) +/- 0.59 kJ/mol (m-allo-Ge) and 1.46 +/- 0.55 kJ/mol (4H-Ge). From high-temperature drop solution calorimetry, they are energetically less stable by 2.71 +/- 2.79 kJ/mol (m-allo-Ge) and 5.76 +/- 5.12 kJ/mol (4H-Ge) than alpha-Ge, which is the stable form of germanium under ambient conditions. These data are in agreement with DSC, as well as with the previous quantum chemical calculations. The morphology of the m-allo-Ge and 4H-Ge crystallites was investigated by a combination of scanning electron microscopy, transmission electron microscopy, and atomic force microscopy. Even though the crystal structures of m-allo-Ge and 4H-Ge cannot be considered as truly layered, these phases retain the crystalline morphology of the layered precursor Li7Ge12. Investigation by diffuse reflectance infrared Fourier transform spectroscopy and UV-vis diffuse reflectance measurements reveal band gaps in agreement with quantum chemical calculations.
• Gruettner, Andreas; Nesper, Reinhard; Schnering, Hans Georg von, Angewandte Chemie, 1982, vol. 94, p. 933 - 933
  作者：Gruettner, Andreas、Nesper, Reinhard、Schnering, Hans Georg von

  DOI：——

  日期：——