tris[N,N-bis(trimethylsilyl)amide]gadolinium(III)

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机金属化合物 - 有机类金属化合物
• 英文名称: tris[N,N-bis(trimethylsilyl)amide]gadolinium(III)
• 英文别名: Gd[N(SiMe₃)₂]₃；gadolinium tris-trimethylsilazane；[((methyl)₃Si)₂N]₃Gd；[Gd(bis(trimethylsilyl)amide)₃]；Gd(bis(trimethylsilyl)amide)₃；[Gd(bta)₃]
• 化学式: C₁₈H₅₄GdN₃Si₆
• 分子量: 638.41
• InChiKey: BCDWREAOVOJDIO-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  3.03
• 重原子数：
  10.0
• 可旋转键数：
  2.0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  14.1
• 氢给体数：
  0.0
• 氢受体数：
  0.0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  tris[N,N-bis(trimethylsilyl)amide]gadolinium(III) 、 3-isopropyl-2,4-dimethylpentan-3-ol 以 甲苯 为溶剂， 以93%的产率得到[Gd(3-isopropyl-2,4-dimethylpentan-3-olate)3]2
  参考文献：
  名称：

  Hatanpaeae, Timo; Kukli, Kaupo; Ritala, Mikko, Journal of Thermal Analysis and Calorimetry, 2011, vol. 105, p. 61 - 72

  摘要：

  DOI：
• 作为产物：
  描述：

  双(三甲基硅烷基)氨基钾 、 alkaline earth salt of/the/ methylsulfuric acid 以 四氢呋喃 为溶剂， 生成 tris[N,N-bis(trimethylsilyl)amide]gadolinium(III)
  参考文献：
  名称：

  三氟乙酸镧系元素前体的合成，表征及实用性用于生产相变氟化镧系纳米材料

  摘要：

  摘要已开发出一系列仅含TFA及其共轭酸的镧系三氟乙酸（H-TFA）衍生物。根据Ln（N（SiMe3）2）3与过量的H-TFA的反应，产物鉴定为：[Ln（μ-TFA）3（H-TFA）2] n（Ln = Y，Ce ，Sm，Eu，Gd，Tb，Dy），[Ln（μ-TFA）3（μ-H-TFA）] n·solv（Ln·solv = Pr·2 H-TFA，H3O +，Ho·2py，Er ·py，Yb·py，H-TFA），3 [H] [（TFA）La（μ-TFA）3La（TFA）（μ-TFA）2（μc-TFA）2] n½（H2O）½（ H2O，H-TFA）（La·½（H2O）1/2（H2O，H-TFA）），[（k2-TFA）Nd（μ-TFA）3] n·H-py +（Nd·H-py +）， [（py）2Tm（μ-TFA）3] n（Tm）或[Lu（μ-TFA）4Lu（μ-TFA）3·H3O +] n（Lu·H3O

  DOI：

  10.1016/j.poly.2017.04.032
• 作为试剂：
  描述：

  三甲基氰硅烷 、 2-氯-2',4'-二氟苯乙酮 在 tris[N,N-bis(trimethylsilyl)amide]gadolinium(III) 、 (2S,3S,4R)-2-Ph₂P(O)CH₂-3-OH-4-(2-OH-4,5-F₂-C₆H₂)tetraHpyran 、 丙腈 作用下， 反应 3.0h， 生成 (S)-3-chloro-2-(2,4-difluorophenyl)-2-((trimethylsilyl)oxy)propanenitrile 、 (R)-3-chloro-2-(2,4-difluorophenyl)-2-((trimethylsilyl)oxy)propanenitrile
  参考文献：
  名称：

  三唑类抗真菌剂的关键中间体的催化对映选择性合成。

  摘要：

  [反应：见正文]通过缺电子酮的催化对映选择性氰基硅烷化反应，开发了用于三唑类抗真菌剂（如ZD0870和Sch45450）的通用手性结构单元的短步合成方法。使用由Gd（HMDS）（3）和配体5以2：3的比例制备的催化剂可产生高对映选择性。这种新的催化剂制备方法优于以前使用Gd（O（i）Pr）（3）作为金属源的方法。基于使用ESI-MS的催化剂配合物的结构研究，提出了区别的理由。

  DOI：

  10.1021/ol050398+

文献信息

• Three-co-ordination in lanthanide chemistry: tris[bis(trimethylsilyl)amido]lanthanide(III) compounds
  作者：D. C. Bradley、J. S. Ghotra、F. A. Hart

  DOI：10.1039/c39720000349

  日期：——

  The new compounds M[N(SiMe3)2]3(M = La, Pr, Sm, Eu, Gd, Lu) have been isolated and shown to be the first examples of 3-co-ordinated lanthanides.

  已分离出新的化合物M [N（SiMe 3）2 ] 3（M = La，Pr，Sm，Eu，Gd，Lu），并显示出是3-配位镧系元素的第一个实例。
• Low co-ordination numbers in lanthanide and actinide compounds. Part I. The preparation and characterization of tris{bis(trimethylsilyl)-amido}lanthanides
  作者：Donald C. Bradley、Joginder S. Ghotra、F. Alan Hart

  DOI：10.1039/dt9730001021

  日期：——

  The new three-co-ordinated lanthanide complexes [LnN(SiMe3)2}3], where Ln = La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Ho, Yb, and Lu, and [YN(Sime3)2}3], have been prepared and their 1H n.m.r. and electronic spectra are reported and discussed. The magnetic susceptibility of the Gd complex at 98 and 298 K is reported.

  新的三配位镧系元素络合物[Ln N（SiMe 3）2 } 3 ]，其中Ln = La，Ce，Pr，Nd，Sm，Eu，Gd，Ho，Yb和Lu，以及[Y 制备了N（Sime 3）2 } 3 ]，并报道和讨论了它们的1 H nmr和电子光谱。据报道，Gd配合物在98和298 K时的磁化率。
• 3,5-Di-tert-butyl-o-benzoquinone complexes of lanthanides
  作者：D.M. Kuzyaev、D.L. Vorozhtsov、N.O. Druzhkov、M.A. Lopatin、E.V. Baranov、A.V. Cherkasov、G.K. Fukin、G.A. Abakumov、M.N. Bochkarev

  DOI：10.1016/j.jorganchem.2011.10.015

  日期：2012.2

  Lanthanide semiquinolates Ln(SQ)3 (SQ-3,5-di-tert-butyl-o-benzosemiquinone) were prepared by the reactions of Dy, Tm, Yb with 3 equiv of 3,5-di-tert-butyl-o-benzoquinone (Q). Crystallization of thulium product from DME yields structurally characterized cluster Tm3(SQ)4(Cat)2(QH)(DME)2 (1) (Cat-3,5-di-tert-butyl-catecholate, QH-o-hydroxyphenolate). The reactions of Q with excess of metal (Sm, Eu, Tm

  镧系元素semiquinolates LN（SQ）3（SQ-3,5-二-叔丁基- ö -benzosemiquinone）由镝，TM，Yb中反应制备了3当量的3,5-二-叔丁基- ö -苯醌（Q）。从DME结晶product产物可得到结构特征化的簇Tm 3（SQ）4（Cat）2（QH）（DME）2（1）（Cat-3,5-二叔丁基邻苯二酚酯，QH-邻羟基苯酚酸酯）。Q与过量金属（Sm，Eu，Tm，Yb）的反应生成儿茶酚酯Ln 2（Cat）3。对于sa产品Sm 4（Cat）6（THF）6（2）进行了X射线衍射研究。在EUI的反应2与Li 2（目录）吃-配合物EuLi 4（LII）2（SQ）2（CAT）2（THF）6（3）分离。X射线分析表明，该配合物分子包含两个半醌基，两个儿茶酚配体，Eu 2+阳离子，四个Li +阳离子和两个LiI物种通过桥接O和I原子键合。以及三价铈，钕，钆，和Tb的Eu（
• Enantioselective Hydroboration of Ketones Catalyzed by Rare-Earth-Metal Complexes Supported with Phenoxy-Functionalized TsDPEN Ligands
  作者：Qishun Yu、Chengrong Lu、Bei Zhao

  DOI：10.1021/acs.organomet.1c00272

  日期：2021.8.9

  Six novel chiral rare-earth-metal complexes bearing the phenoxy-functionalized TsDPEN ligand H3L1 (H3L1 = N-((1R,2R)-2-((3,5-di-tert-butyl-2-hydroxybenzyl)amino)-1,2-diphenylethyl)-4-methylbenzenesulfonamide) were synthesized successfully and well characterized. The solid-state structures of four tetranuclear rare-earth-metal complexes [RE2L13]2 (RE = Nd (1), Sm (2), Eu (3), Gd (4)) and the dual-core

  六新型手性稀土类金属络合物轴承苯氧基官能化TsDPEN配位体H 3大号1（H 3大号1 = ñ - （（1 - [R，2 - [R）-2 - （（3,5-二-叔丁基-2-羟基苄基）氨基）-1,2-二苯基乙基）-4-甲基苯磺酰胺）已成功合成并得到很好的表征。四种四核稀土金属配合物[RE 2 L 1 3 ] 2 (RE = Nd ( 1 ), Sm ( 2 ), Eu ( 3 ), Gd ( 4 ))和双核的固态结构钇配合物 Y 2L 1 3 ( 5 ) 分别由X-射线衍射测定。镧配合物6的结构由THF- d 8中的1 H DOSY光谱以及DFT计算推测。配合物1 - 5被用于催化使用频哪醇（HBpin）作为还原剂酮和α，β不饱和酮的对映选择性硼氢化，和复杂1相比于其他人给出了更好的结果。以极好的收率和适中的ee值获得了相应的仲醇。使用钕酰胺 Nd[N(SiMe3 ) 2 ] 3与苯氧基官能化的TsDPEN配体H
• Synthesis and Characterization of Volatile, Fluorine-Free β-Ketoiminate Lanthanide MOCVD Precursors and Their Implementation in Low-Temperature Growth of Epitaxial CeO₂ Buffer Layers for Superconducting Electronics
  作者：Nikki L. Edleman、Anchuan Wang、John A. Belot、Andrew W. Metz、Jason R. Babcock、Amber M. Kawaoka、Jun Ni、Matthew V. Metz、Christine J. Flaschenriem、Charlotte L. Stern、Louise M. Liable-Sands、Arnold L. Rheingold、Paul R. Markworth、Robert P. H. Chang、Michael P. Chudzik、Carl R. Kannewurf、Tobin J. Marks

  DOI：10.1021/ic020299h

  日期：2002.10.1

  substituents on the keto, imino, and ether sites of the ligand. Direct comparison with conventional lanthanide beta-diketonate complexes reveals that the present precursor class is a superior choice for lanthanide oxide MOCVD. Epitaxial CeO(2) buffer layer films can be grown on (001) YSZ substrates by MOCVD at significantly lower temperatures (450-650 degrees C) than previously possible by using one

  已开发出一类新型的挥发性，低熔点，无氟镧系金属有机化学气相沉积（MOCVD）前体。中性单体Ce，Nd，Gd和Er络合物被通用的多齿醚官能化β-酮亚胺基配体系列配位饱和，可通过改变酮基上的烷基取代基来调节其熔点和挥发性，亚氨基和配体的醚位。与常规镧系元素β-二酮酸酯络合物的直接比较表明，当前的前体类别是氧化镧系元素MOCVD的绝佳选择。外延CeO（2）缓冲层膜可以通过MOCVD在（001）YSZ衬底上以比以前使用新开发的β-酮化铈铈前体低得多的温度（450-650摄氏度）生长。在540摄氏度下沉积的薄膜具有良好的面外（Deltaomega = 0.85摄氏度）和面内（Deltaphi = 1.65摄氏度）对准和光滑表面（均方根粗糙度约为4.3 A）。随着沉积温度的升高，膜的生长速率降低并且膜趋于平滑。通过脉冲有机金属分子束外延在这些CeO（2）缓冲层上生长的高质量钇钡铜氧化物（YBCO）膜表现出非常好的电传输性能（T（c）=