设计并分析了具有 D/A-A-D 架构的功能化喹啉作为有机场效应晶体管的有源层。研究了这些材料的电子吸收、荧光发射和电化学行为。此外,通过使用旋涂技术制造 BGTC-OFET 器件,研究了各种取代基对晶体管性能的影响。通过采用预退火和后退火技术,获得了具有均匀表面覆盖的致密多晶薄膜。所有新化合物都表现出 p 沟道晶体管行为。具有 D-A-D 结构功能化的甲氧基苯基末端的化合物表现出最佳的 p 沟道晶体管特性,空穴迁移率为 0.0032 cm 2 V -1 s-1。良好的电荷载流子迁移率由供电子甲氧基作为端基支持,具有高 HOMO 和 LUMO 能级、广泛的 π 共轭、π-π 堆叠和更有效的自组装。